时间：2025/9/11 19:29:55
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KGT30N135KDH是一款功率MOSFET，通常用于高功率应用，如电源管理和电机控制。这款MOSFET具备高电压和大电流的承受能力，能够提供高效的功率转换。其设计优化了导通损耗和开关损耗，使其适用于高频率开关应用。KGT30N135KDH采用先进的制造工艺，确保在严苛的工作条件下仍能保持稳定的性能。
类型：N沟道
漏极电流（Id）：30A
漏极-源极电压（Vds）：1350V
栅极-源极电压（Vgs）：±20V
导通电阻（Rds(on)）：典型值为0.35Ω
功率耗散（Pd）：150W
工作温度范围：-55°C至+150°C
封装类型：TO-247
KGT30N135KDH具备出色的导通和开关性能，适用于高功率和高频率应用。其高电压承受能力（1350V）使其适用于高压电源系统，如变频器、逆变器和工业电机驱动。该器件的低导通电阻有助于降低导通损耗，提高系统效率。此外，KGT30N135KDH具有良好的热稳定性和耐久性，能够在高温环境下可靠运行。其封装形式（TO-247）有助于散热，提高整体的热管理性能。这些特性使KGT30N135KDH成为高功率电子设备的理想选择。
KGT30N135KDH广泛应用于工业电源、电机驱动、变频器、逆变器、不间断电源（UPS）以及高功率开关电源（SMPS）等场景。此外，它也可用于新能源系统，如太阳能逆变器和电动汽车充电设备。由于其高耐压和大电流能力，该MOSFET适用于需要高效功率转换和高可靠性的应用场合。
KGT30N135KD, KGT30N135KDT, KGT25N135KDH
