类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压(Vds)：600V
　　栅源电压(Vgs)：±30V
　　连续漏极电流(Id)：20A
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　导通电阻(Rds(on))：典型值0.22Ω
　　耗散功率(Pd)：200W
　　封装形式：TO-247

KGT20N60KDA具备多项优异的电气和物理特性，使其在高功率应用中表现出色。
　　首先，其高耐压能力（600V）使其适用于各种高压电路设计，如开关电源、逆变器和整流器等。同时，该器件的最大漏极电流为20A，能够支持较高的负载需求，适用于中高功率电源系统。
　　其次，KGT20N60KDA的导通电阻较低（典型值为0.22Ω），这有助于降低导通损耗，提高系统效率。此外，其快速开关特性使其适用于高频开关应用，减少开关损耗并提高响应速度。
　　在热性能方面，该MOSFET采用TO-247封装，具有良好的散热能力，能够在高功率工作条件下保持稳定的温度，从而提高器件的可靠性和使用寿命。
　　最后，KGT20N60KDA的栅极驱动电压范围为±30V，具有较强的抗干扰能力，能够适应复杂的电气环境。此外，其工作温度范围为-55°C至+150°C，适用于多种恶劣环境条件。

KGT20N60KDA广泛应用于多种高功率和高频电子设备中。
　　在电源系统方面，该器件常用于开关电源（SMPS）中的主开关元件，能够高效地进行能量转换，适用于AC/DC和DC/DC变换器。由于其低导通电阻和高开关速度，KGT20N60KDA能够显著降低系统损耗，提高电源效率。
　　在工业控制领域，该MOSFET可用于电机驱动电路，如直流电机控制、步进电机驱动和伺服系统。其高电流承载能力和良好的热稳定性使其能够适应连续运行和高负载工况。
　　此外，KGT20N60KDA还可用于逆变器系统，如太阳能逆变器、不间断电源（UPS）和变频器等。在这些应用中，该器件的高耐压能力和快速开关特性有助于实现高效的能量转换和稳定的输出性能。
　　在消费类电子产品中，KGT20N60KDA可用于高功率LED驱动、充电器和电源适配器等设备，提供高效、稳定的功率管理解决方案。

KGT20N60KD, KGT20N60KDI, FQA20N60C, 20N60C3, FDPF20N60