时间：2025/9/12 11:58:39
阅读：27
KGT15N120NDH 是一款由KEC（韩国电子器件公司）制造的高耐压N沟道功率MOSFET，适用于需要高效率和高可靠性的功率转换应用。该器件采用TO-247封装，具备良好的热管理和高电流承载能力。
类型：N沟道 MOSFET
耐压：1200V
额定电流：15A
导通电阻（Rds(on)）：0.38Ω
封装：TO-247
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
KGT15N120NDH MOSFET具备优异的导通性能和开关特性，适合用于高电压和高功率的应用环境。其高耐压能力（1200V）使其在工业电源、逆变器和电机驱动器中表现出色。此外，该器件的低导通电阻（Rds(on)）为0.38Ω，有助于降低导通损耗，提高系统效率。TO-247封装形式提供了良好的散热性能，确保在高负载条件下稳定运行。这款MOSFET还具备较高的抗雪崩能力和热稳定性，适用于需要高可靠性的电力电子设备。
该器件的栅极驱动特性也较为友好，能够在较宽的栅极电压范围内正常工作，同时具备较低的栅极电荷（Qg），从而减少开关损耗。这种特性使其在高频开关应用中表现优异，能够有效提高系统的整体效率。KGT15N120NDH 还具备良好的短路耐受能力，可以在短时间内承受较大的电流冲击而不损坏，进一步提升了其在严苛环境下的适用性。
KGT15N120NDH 主要应用于工业电源、开关电源（SMPS）、逆变器、电机驱动器、UPS系统、太阳能逆变器以及各种高电压功率转换设备中。由于其高耐压和良好的导通性能，该器件特别适用于需要高效能和高稳定性的电力电子系统。
KGT15N120NDH 可以替代的型号包括：STW15N120、IRGP15B60PD1S、FGL15N120等。
