时间：2025/9/11 11:41:47
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KGT15N120NDH-U/P 是一款由Kexin Semiconductor（科信半导体）制造的高电压、高电流IGBT（绝缘栅双极型晶体管），适用于各种高功率应用。这款IGBT具有低导通压降和优异的开关性能，能够在高电压和高电流条件下稳定运行。其封装形式为TO-247，便于安装和散热，适用于电力电子设备中的功率控制和转换。
类型：IGBT
集电极-发射极击穿电压（VCES）：1200V
额定集电极电流（IC）：15A（TC=100℃）
最大工作温度：150℃
栅极-发射极电压范围：-20V至+20V
封装形式：TO-247
KGT15N120NDH-U/P 具备多项优异特性，使其适用于高功率环境。首先，其高击穿电压（1200V）能够承受较大的电压波动，适用于高压电力电子系统。其次，额定集电极电流为15A，在高温条件下仍能保持稳定运行，提高了设备的可靠性。
此外，该器件具有较低的导通压降，有助于降低功率损耗并提高系统效率。其优化的开关特性也减少了开关损耗，适用于高频开关应用。TO-247封装形式不仅提供了良好的散热性能，还方便安装在散热器上，确保长时间运行的稳定性。
该IGBT还具有良好的短路耐受能力，能够在突发负载变化时保持稳定，避免器件损坏。其栅极驱动电路设计简单，易于与多种控制电路配合使用，适用于多种功率控制场合。
KGT15N120NDH-U/P 主要用于高功率电力电子设备中，如工业变频器、电机驱动器、不间断电源（UPS）、电焊机、电磁加热设备以及太阳能逆变器等。其高耐压和高电流能力使其适用于需要高效能功率转换的场合。例如，在变频器中，该IGBT用于控制电机的转速和扭矩；在太阳能逆变器中，它负责将直流电转换为交流电供家庭或电网使用。此外，它也适用于高频电源和开关电源系统。
SKW30N120IDT4-7AG4A1C2B, IRGP15B120UD-EPBF
