时间：2025/9/12 11:43:12
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KGT15N120KDA 是一款由东芝（Toshiba）生产的IGBT（绝缘栅双极型晶体管）器件，专为高功率应用设计。该器件结合了MOSFET的高输入阻抗特性和双极型晶体管的低导通压降特性，使其在高频开关和高功率转换中表现出色。KGT15N120KDA 采用TO-247封装，适用于需要高效能和高可靠性的工业设备和电力电子系统。
最大集电极-发射极电压(Vce)：1200V
最大集电极电流(Ic)：15A
栅极-发射极电压(Vge)：±20V
工作温度范围：-55°C至+150°C
短路耐受能力：典型值为10μs
导通压降(Vce_sat)：约2.1V（典型值，Ic=15A）
输入电容(Cies)：约1600pF
输出电容(Coes)：约280pF
反向恢复时间(trr)：约2.5μs
功率耗散(Pd)：125W
KGT15N120KDA 的主要特性包括高电压和高电流处理能力，能够支持高达1200V的集电极-发射极电压和15A的集电极电流，适用于各种高功率转换应用。该器件具有较低的导通压降，有助于降低导通损耗并提高系统效率。此外，其快速的开关特性使得在高频应用中表现出色，减少了开关损耗。
该IGBT还具有良好的短路耐受能力，能够在短时间内承受较大的电流冲击而不损坏，提高了系统的可靠性。KGT15N120KDA 的栅极驱动要求相对较低，简化了驱动电路的设计，并支持与其他IGBT或MOSFET的兼容性。其TO-247封装形式具有良好的热性能，能够有效散热，确保在高功率环境下的稳定运行。
此外，KGT15N120KDA 在设计上优化了反向恢复特性，减少了二极管的反向恢复时间，从而降低了开关损耗和电磁干扰（EMI）。这种特性使其在高频变换器和逆变器应用中表现出色。器件的工作温度范围广泛，从-55°C到+150°C，确保在各种环境条件下都能稳定工作。
KGT15N120KDA 广泛应用于需要高功率转换效率和高可靠性的电力电子系统中。典型应用包括变频器、逆变器、电机驱动、不间断电源（UPS）、电焊设备、太阳能逆变器以及工业自动化设备。其高电压和高电流特性使其特别适合用于需要大功率输出的场合，例如电动机控制和工业加热系统。
在变频器和电机驱动系统中，该器件能够高效地控制电机的速度和扭矩，提供稳定的性能。在太阳能逆变器中，KGT15N120KDA 可以将太阳能电池板产生的直流电转换为交流电，供家庭或电网使用。此外，在电焊设备中，该器件可以提供精确的电流控制，确保焊接质量的稳定性。
由于其优良的短路耐受能力和快速开关特性，KGT15N120KDA 也常用于需要高可靠性的应急电源系统和电力调节装置中。其广泛的工作温度范围使其能够在极端环境下正常工作，满足工业级应用的需求。
KGT15N120KD KGT15N120TD KGT15N120THD
