KGH15N120 时间：2025/12/28 14:46:54 阅读：9

KGH15N120 是一款高耐压、大电流的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），通常用于高功率应用如电源转换器、电机控制、UPS系统和工业自动化设备。这款器件采用了先进的平面硅栅技术，具有低导通电阻、高可靠性和良好的热稳定性。其主要特点包括1200V的高耐压能力、15A的连续漏极电流能力，以及内建的快速恢复二极管，适用于高频开关应用。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：1200V
　　最大漏极电流（Id）：15A（25°C）
　　导通电阻（Rds(on)）：典型值0.3Ω（最大值0.35Ω）
　　栅极电压（Vgs）：±20V
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-247

特性

KGH15N120 的核心特性之一是其高耐压能力，漏源电压可达1200V，使其适用于高压电源转换系统。该器件的导通电阻较低，典型值为0.3Ω，从而减少了导通损耗，提高了系统的整体效率。
　　此外，该MOSFET采用了先进的平面硅栅工艺，提高了器件的开关速度和稳定性，适用于高频开关应用。其内建的快速恢复二极管（Body Diode）可以在反向电流情况下提供良好的恢复特性，减少能量损耗并防止电压尖峰。
　　在热管理方面，KGH15N120 具有良好的热稳定性，能够在较高温度下稳定工作。其TO-247封装形式有助于提高散热效率，适合在高功率密度应用中使用。此外，器件的栅极电压范围为±20V，具有较强的抗干扰能力，能够在复杂电磁环境中稳定工作。
　　从应用角度来看，KGH15N120 的高可靠性和耐久性使其成为工业电源、电机驱动、逆变器等领域的理想选择。

应用

KGH15N120 主要应用于需要高压和大电流能力的功率电子系统中。例如，在电源转换器（如DC-DC转换器、AC-DC电源模块）中，该器件可以用于高频开关操作，以提高能量转换效率。在电机控制系统中，它可以用作功率开关元件，实现对电机的精确控制。
　　此外，KGH15N120 还广泛用于不间断电源（UPS）、太阳能逆变器、电焊设备以及工业自动化设备中的功率控制模块。由于其内建快速恢复二极管，特别适用于需要反向电流流通的场合，如感性负载驱动电路。
　　在消费电子和工业设备中，该MOSFET也常用于LED照明驱动、充电器和高功率开关电源中，满足高效率和小型化设计的需求。