时间：2025/9/11 18:36:01
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KGF75N60KDB是一种高功率场效应晶体管（MOSFET），专为高效能电源转换系统设计。该器件采用先进的硅技术，具备高耐压和大电流处理能力，适用于各种工业和消费类应用。KGF75N60KDB的封装设计优化了热管理和电气性能，确保在高负载条件下的稳定运行。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压(Vds)：600V
最大漏极电流(Id)：75A
导通电阻(Rds(on))：典型值为0.095Ω
栅极电荷(Qg)：约120nC
最大工作温度：150°C
封装类型：TO-247
KGF75N60KDB具有优异的导通和开关性能，能够有效降低功率损耗并提高系统效率。其低导通电阻特性使其在高电流应用中表现出色，同时具备良好的热稳定性，能够在高温环境下可靠工作。此外，该器件的快速开关特性有助于减少开关损耗，提高整体系统性能。KGF75N60KDB还具有高抗雪崩能力和过载保护功能，确保在极端条件下的安全运行。
KGF75N60KDB的封装设计优化了热管理和电气性能，确保在高负载条件下的稳定运行。其高可靠性和长寿命使其成为各种高要求应用的理想选择。
KGF75N60KDB广泛应用于开关电源（SMPS）、电机驱动器、逆变器、UPS系统以及工业自动化设备等高功率电子系统中。其优异的性能和可靠性也使其适用于电动汽车充电设备、太阳能逆变器以及各种高功率LED照明系统。此外，该器件还可用于电源管理模块和电池充电器等应用。
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