KGF60N65KDF-U/H 是一款高性能的 N 沟道增强型场效应晶体管(MOSFET),适用于高电压、高功率的应用场景。该型号由知名半导体制造商生产,广泛应用于开关电源、电机驱动、逆变器等需要高效能转换和控制的领域。其设计旨在提供低导通电阻和快速开关特性,从而提高整体系统效率并减少能量损耗。
这款 MOSFET 的最大特点是具有 650V 的耐压能力,能够在高压环境下稳定运行,同时具备优秀的热性能和电气性能,非常适合工业和消费电子领域的多样化需求。
最大漏源电压:650V
连续漏极电流:60A
导通电阻:0.03Ω
栅极电荷:125nC
开关时间:开通时间 85ns,关断时间 45ns
工作结温范围:-55℃ 至 +150℃
KGF60N65KDF-U/H 具有以下显著特性:
1. 高耐压能力:能够承受高达 650V 的漏源电压,适合高压应用环境。
2. 大电流处理能力:连续漏极电流可达 60A,确保在高负载条件下稳定运行。
3. 低导通电阻:仅为 0.03Ω,有效降低导通损耗,提升系统效率。
4. 快速开关性能:极低的栅极电荷和短开关时间使其在高频开关应用中表现出色。
5. 广泛的工作温度范围:支持从 -55℃ 到 +150℃ 的工作结温,适应 优异的热性能:优化的封装设计有助于散热,延长器件使用寿命。
KGF60N65KDF-U/H 主要应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS):用于高效的 DC-DC 和 AC-DC 转换。
2. 电机驱动:适用于工业电机控制和家用电器中的电机驱动。
3. 逆变器:用于太阳能逆变器和其他类型的电力转换设备。
4. UPS 系统:为不间断电源提供可靠的开关元件。
5. 工业自动化:在各种工业控制系统中作为关键功率器件。
6. LED 驱动:用于大功率 LED 照明系统的驱动电路。
KGF60N65GDF-U/H, IRFP460, STP60NF65