时间：2025/4/27 9:24:35
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KGF50N65KDF-U/H 是一款高压 N 沟道增强型功率场效应晶体管（MOSFET），主要用于需要高电压和高效能的开关应用。该器件采用先进的制造工艺，具备低导通电阻和出色的开关性能，广泛应用于电源管理、电机驱动、逆变器以及各种工业控制领域。
该型号具有较高的耐压能力，适用于高频开关场景，并且通过优化设计降低了开关损耗和热耗散，从而提升了整体系统效率。
最大漏源极电压：650V
最大连续漏极电流：50A
最大栅源极电压：±20V
导通电阻：100mΩ
总闸极电荷：80nC
开关时间：ton=40ns，toff=30ns
工作结温范围：-55℃至+150℃
KGF50N65KDF-U/H 具有以下显著特点：
1. 高击穿电压（650V），确保在高电压环境下稳定运行。
2. 低导通电阻（100mΩ），有助于减少传导损耗并提高效率。
3. 快速开关速度，支持高频操作，适合开关电源和逆变器等应用。
4. 内置保护功能，如雪崩能量吸收能力，增强了器件的鲁棒性。
5. 小巧封装设计，便于安装和散热管理。
6. 良好的热稳定性，可在宽温度范围内可靠工作。
7. 符合 RoHS 标准，环保且满足国际法规要求。
这款 MOSFET 主要用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）设计中的主开关或同步整流元件。
2. 工业用变频器及电机驱动器的核心功率开关。
3. 太阳能逆变器和其他可再生能源系统的功率转换模块。
4. 电动汽车（EV）与混合动力汽车（HEV）的电池管理系统。
5. 各种高电压 DC-DC 转换器和脉宽调制（PWM）控制器。
6. 照明镇流器及大功率 LED 驱动电路。
KGF50N65GDF-U/H, IRFP460, STP50NM65
