KGF50N60KDA-U/P 是一款 N 沟道增强型场效应晶体管(MOSFET),属于功率半导体器件,主要用于开关和放大应用。该型号设计用于高电压和高电流场景,广泛应用于电源管理、电机驱动以及各类工业电子设备中。
该 MOSFET 具有较低的导通电阻和较快的开关速度,能够在高频条件下保持较高的效率,同时其封装形式适合表面贴装工艺,方便在现代电路板上进行自动化生产。
最大漏源电压:600V
连续漏极电流:50A
导通电阻:120mΩ
栅极电荷:39nC
开关时间:ton=88ns, toff=75ns
工作结温范围:-55℃至+150℃
KGF50N60KDA-U/P 的主要特性包括:
1. 高耐压能力,额定漏源电压为 600V,适用于多种高压应用场景。
2. 较低的导通电阻(120mΩ),有助于减少传导损耗,提高整体效率。
3. 快速开关性能,栅极电荷较小(39nC),可实现高频操作。
4. 良好的热稳定性,在较宽的工作温度范围内保持稳定性能。
5. 表面贴装封装,易于集成到现代化 PCB 设计中,支持高效的自动化装配过程。
6. 可靠性高,适合长期运行于严苛的工业环境中。
KGF50N60KDA-U/P 广泛应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)和 DC-DC 转换器中的主开关元件。
2. 电机驱动系统中的功率级控制,如变频器和伺服驱动器。
3. 太阳能逆变器和其他可再生能源转换设备。
4. 工业控制设备中的负载切换和保护电路。
5. 各种需要高电压、大电流处理能力的电力电子装置。
由于其优异的性能和可靠性,该 MOSFET 在汽车电子、通信设备及消费类电子产品中也得到了广泛应用。
KGF50N60KDA-P/E, IRFP460, STW11N60