KGF50N60KDA-U/P 时间：2025/6/29 3:19:06 阅读：23

KGF50N60KDA-U/P 是一款 N 沟道增强型场效应晶体管（MOSFET），属于功率半导体器件，主要用于开关和放大应用。该型号设计用于高电压和高电流场景，广泛应用于电源管理、电机驱动以及各类工业电子设备中。
　　该 MOSFET 具有较低的导通电阻和较快的开关速度，能够在高频条件下保持较高的效率，同时其封装形式适合表面贴装工艺，方便在现代电路板上进行自动化生产。

参数

最大漏源电压：600V
　　连续漏极电流：50A
　　导通电阻：120mΩ
　　栅极电荷：39nC
　　开关时间：ton=88ns, toff=75ns
　　工作结温范围：-55℃至+150℃

特性

KGF50N60KDA-U/P 的主要特性包括：
　　1. 高耐压能力，额定漏源电压为 600V，适用于多种高压应用场景。
　　2. 较低的导通电阻（120mΩ），有助于减少传导损耗，提高整体效率。
　　3. 快速开关性能，栅极电荷较小（39nC），可实现高频操作。
　　4. 良好的热稳定性，在较宽的工作温度范围内保持稳定性能。
　　5. 表面贴装封装，易于集成到现代化 PCB 设计中，支持高效的自动化装配过程。
　　6. 可靠性高，适合长期运行于严苛的工业环境中。

应用

KGF50N60KDA-U/P 广泛应用于以下领域：
　　1. 开关电源（SMPS）和 DC-DC 转换器中的主开关元件。
　　2. 电机驱动系统中的功率级控制，如变频器和伺服驱动器。
　　3. 太阳能逆变器和其他可再生能源转换设备。
　　4. 工业控制设备中的负载切换和保护电路。
　　5. 各种需要高电压、大电流处理能力的电力电子装置。
　　由于其优异的性能和可靠性，该 MOSFET 在汽车电子、通信设备及消费类电子产品中也得到了广泛应用。