类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极-源极电压(Vds)：600V
　　最大栅极-源极电压(Vgs)：±30V
　　最大连续漏极电流(Id)：20A（在Tc=25℃时）
　　导通电阻(Rds(on))：0.26Ω（典型值）
　　功耗(Pd)：200W
　　工作温度范围：-55℃至+150℃
　　封装形式：TO-247

KGF20N60PA具备多项高性能特性，使其在高功率应用中表现出色。首先，其最大漏极-源极电压为600V，能够承受较高的电压应力，适用于多种高压电路设计。其次，该MOSFET的最大连续漏极电流为20A，在适当的散热条件下可以支持较大的负载电流，满足高功率需求。
　　该器件的导通电阻（Rds(on)）典型值为0.26Ω，这有助于降低导通损耗，提高能效。此外，KGF20N60PA具备良好的热稳定性，最大功耗可达200W，适用于高温环境下运行的工业设备。TO-247封装提供了较大的散热面积，有利于器件在高功率运行时保持较低的温度，从而提高系统的可靠性和寿命。
　　KGF20N60PA还具备快速开关特性，适合用于高频开关电源和DC-DC转换器。其栅极驱动特性稳定，栅极-源极电压范围为±30V，能够在较宽的控制电压范围内稳定工作。此外，该器件具有较低的栅极电荷（Qg），有助于减少开关过程中的能量损耗，提高整体效率。
　　该MOSFET的制造工艺采用了先进的沟槽式结构，进一步优化了导通电阻和开关性能之间的平衡，同时具备较强的抗雪崩能力，提升了器件在异常工作条件下的耐用性。

KGF20N60PA广泛应用于多种高功率电子系统中，尤其是在电源管理和功率控制领域。例如，它常用于开关电源（SMPS）中作为主开关元件，支持高效的AC-DC和DC-DC转换。此外，该器件也适用于电机驱动和逆变器系统，如变频器和伺服驱动器，用于实现对电机的高效控制。
　　在新能源领域，KGF20N60PA可用于太阳能逆变器和储能系统中的功率转换模块，以实现高效率的能源转换。它也适用于LED照明驱动、电焊机、UPS不间断电源等需要高压高电流开关能力的设备。
　　由于其高可靠性和良好的热性能，KGF20N60PA也适用于工业自动化控制系统和电源管理系统中的功率开关模块，支持长时间稳定运行。

KGF20N60PBF, KGF20N60TD, FQA20N60C, 20N60C3