型号：KFM2G1602M-DEB8
　　制造商：Samsung
　　存储类型：LPDDR2 SDRAM
　　总容量：2 Gb (256 MB)
　　组织结构：128M x16
　　工作电压 - VDD（Core）：1.7V ~ 1.95V
　　工作电压 - VDDQ（I/O）：1.7V ~ 1.95V
　　数据速率：533 Mbps（DDR400等效）
　　时钟频率：266.5 MHz
　　接口类型：CMOS
　　位宽：16位
　　封装类型：FBGA
　　引脚数：90-ball
　　工作温度范围：-30°C 至 +85°C
　　最大访问时间：15 ns
　　刷新周期：64ms / 8192行 = 7.8μs（典型）
　　封装尺寸：9mm x 12mm x 0.9mm（近似）

KFM2G1602M-DEB8具备多项关键特性，使其成为当时移动计算设备中的理想内存解决方案。首先，其低功耗设计是核心优势之一。该芯片支持多种节能模式，包括自动刷新模式（Auto Refresh）、自刷新模式（Self Refresh）以及部分阵列自刷新（Partial Array Self Refresh, PASR），这些功能可根据系统负载动态调整内存功耗。例如，在屏幕关闭或后台运行时，DRAM可进入自刷新状态，仅维持最基本的数据保持电流，显著降低能耗。其次，高速数据传输能力使得该芯片能够满足多任务处理和高清视频播放的需求。其支持最高533Mbps的数据速率，等效于DDR400性能水平，配合16位宽接口，理论带宽可达1.066 GB/s，足以支撑当时的图形渲染和操作系统流畅运行。此外，该器件采用了差分时钟输入（CK/CK#）和源同步数据选通（DQS/DQS#）机制，提升了信号完整性与时序精度，确保在高频操作下的稳定性。
　　另一个重要特性是其高集成度与小型化封装。KFM2G1602M-DEB8采用90球FBGA封装，尺寸紧凑，适用于对PCB空间极为敏感的便携设备。这种封装还具备良好的电气性能和热传导特性，有助于提高系统可靠性。同时，该芯片支持burst length可编程（BL=4或BL=8）以及突发类型选择（顺序或交错），增强了与不同主控芯片的兼容性。在制造工艺方面，它基于先进的深亚微米工艺节点构建，内部存储阵列经过优化布局，减少了访问延迟并提高了读写效率。最后，KFM2G1602M-DEB8符合RoHS环保标准，无铅且不含卤素，适应全球电子产品绿色环保要求。尽管该型号目前已逐步被LPDDR3/4取代，但在其生命周期内表现出优异的稳定性和广泛的适用性。

KFM2G1602M-DEB8主要应用于各类便携式消费类电子产品中，尤其是2010年至2014年期间发布的中高端智能手机和平板电脑。由于其具备较高的带宽和较低的功耗特性，常被用作应用处理器的主内存，配合如三星Exynos、高通Snapdragon或德州仪器OMAP系列SoC共同工作，支持Android操作系统下的多任务处理、高清视频解码、3D游戏运行等复杂应用场景。此外，该芯片也被用于某些超极本（Ultrabook）和嵌入式工业控制设备中，作为系统运行内存使用。在智能电视和机顶盒领域，部分型号也曾采用该类LPDDR2颗粒以提升图像处理响应速度。由于其标准化接口设计，KFM2G1602M-DEB8易于集成到支持LPDDR2协议的主板上，简化了硬件开发流程。同时，因其批量生产成本相对较低，也曾在教育类平板和入门级移动设备中广泛应用。值得注意的是，随着技术演进，当前新设计已普遍转向LPDDR3及以上标准，因此该芯片更多见于维修替换市场或老旧设备维护场景。

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