KF9N50P 时间：2025/12/28 14:35:27 阅读：14

KF9N50P 是一款由Kexin（科信）公司生产的N沟道功率MOSFET，广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关等电力电子设备中。该器件采用TO-220或DPAK等封装形式，具有较高的耐压能力和良好的导通性能，适用于中高功率应用场景。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：500V
　　栅源电压（VGS）：±30V
　　漏极电流（ID）：9A（最大）
　　导通电阻（RDS(on)）：约0.65Ω（典型值）
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：TO-220、DPAK等
　　功率耗散（PD）：80W（最大）

特性

KF9N50P 的主要特性包括高耐压能力（500V VDS），使其适用于高电压电源转换系统。该器件的导通电阻较低，有助于降低导通损耗，提高系统效率。此外，KF9N50P 具有良好的热稳定性和高电流承载能力，能够在较恶劣的工作环境下稳定运行。其栅极驱动电压范围较宽，兼容多种驱动电路设计，提高了应用的灵活性。
　　该MOSFET还具备较快的开关速度，适合用于高频开关电路，有助于减小外部滤波元件的尺寸，提高系统集成度。其封装形式具有良好的散热性能，有助于提升整体系统的可靠性。KF9N50P 还具备一定的抗雪崩能力，能够在异常工作条件下提供一定的保护作用。