KF9N25D-RTF 时间：2025/12/28 15:37:03 阅读：12

KF9N25D-RTF 是一款由 Kinetic Technologies（原 KEC Corporation）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于高效率电源管理应用。该器件采用先进的沟槽式 MOSFET 技术，具有低导通电阻（Rds(on)）和高功率密度的特点，适合用于 DC-DC 转换器、负载开关、电池管理系统以及各类电源管理设备中。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　漏源电压（Vds）：250V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：9A
　　导通电阻（Rds(on)）：0.29Ω（最大值，Vgs=10V）
　　功率耗散（Pd）：50W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：TO-252（DPAK）
　　晶体管配置：单路

特性

KF9N25D-RTF 的核心优势在于其优异的导通性能和高可靠性。该 MOSFET 采用先进的沟槽技术，显著降低了导通电阻，从而减少了导通损耗，提高了系统效率。此外，该器件具有较高的耐压能力（250V），能够适应多种电源拓扑结构。
　　在热性能方面，KF9N25D-RTF 封装在 TO-252（DPAK）封装中，具有良好的散热能力，适合在中高功率应用场景中使用。其最大连续漏极电流可达 9A，支持较宽的栅极驱动电压范围（±20V），增强了其在不同电路中的适应性。
　　该 MOSFET 还具有良好的抗雪崩能力，能够在瞬态过压情况下保持稳定运行，提升了系统的可靠性和寿命。同时，其低栅极电荷（Qg）有助于减少开关损耗，进一步提升开关频率下的效率表现。
　　KF9N25D-RTF 在设计上注重兼容性和通用性，适用于多种电源转换和负载管理应用，特别是在对效率和热管理要求较高的场合中表现优异。

应用

KF9N25D-RTF 主要应用于各种电源管理系统，包括但不限于以下领域：
　　1. **DC-DC 转换器**：用于非隔离式升压、降压或反相转换器拓扑中，提供高效能的功率开关功能。
　　2. **AC-DC 电源适配器**：作为主开关或次级侧同步整流器件，提升整体转换效率。
　　3. **负载开关与电池管理系统**：用于控制电池供电设备中的负载连接，实现高效能的电源管理。
　　4. **电机驱动与工业控制**：作为功率开关器件用于电机控制、继电器替代或工业自动化系统中。
　　5. **LED 照明与电源模块**：用于 LED 驱动电路中的功率调节与开关控制。
　　该器件由于其高耐压和低导通电阻特性，也适用于需要高可靠性的工业和消费类电子产品中。