时间：2025/9/12 9:52:26
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KF9N25D-RTF/P是一款由Kexin Electronics制造的N沟道增强型功率MOSFET，主要用于电源管理和功率开关应用。该器件采用先进的平面工艺技术，具有高耐压、低导通电阻和良好的热稳定性，适用于各种电源转换和控制电路。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：250V
漏极电流（Id）：9A
导通电阻（Rds(on)）：0.45Ω
栅极电压（Vgs）：±20V
功率耗散（Pd）：40W
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装类型：TO-220
KF9N25D-RTF/P MOSFET具备多项优良特性，确保其在各种应用中的可靠性与性能。
首先，其漏源电压（Vds）为250V，使其能够承受较高的电压应力，适用于中高功率电源应用，如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器和马达驱动器。其9A的漏极电流能力也确保其在较大负载下仍能稳定运行。
其次，该器件的导通电阻（Rds(on)）为0.45Ω，在同类产品中处于较低水平。这一特性有助于降低导通损耗，提高系统效率，同时减少发热，提升整体系统的稳定性。
该MOSFET支持±20V的栅极电压（Vgs），具有较强的抗电压波动能力，适用于多种栅极驱动电路设计。其TO-220封装形式具备良好的散热性能，有助于在高功率环境下维持较低的工作温度。
此外，KF9N25D-RTF/P采用工业标准封装，便于安装和替换，并具备较高的热稳定性与耐用性，适用于工业控制、电源设备和消费类电子产品中的功率开关应用。
KF9N25D-RTF/P MOSFET广泛应用于多个领域，包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机驱动电路、电池管理系统、LED照明驱动、工业自动化设备以及各种电源管理模块。其优异的电气特性和稳定的封装结构使其成为中高功率开关应用的理想选择。
2SK2545, 2SK1318, IRF840, FQP9N25C
