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KF9N25D-RTF/H 发布时间 时间:2025/9/12 11:39:38 查看 阅读:13

KF9N25D-RTF/H 是一款由 KEJ Corporation 生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于高功率应用中的开关和控制。该器件采用 TO-252(DPAK)封装,具有良好的热性能和电气性能,适合用于电源管理、电机控制和DC-DC转换器等场景。KF9N25D-RTF/H 设计用于在高效率和高可靠性要求较高的电子系统中工作。

参数

类型:N沟道增强型MOSFET
  漏极-源极电压(Vds):250V
  栅极-源极电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):9A(在25°C)
  功耗(Pd):40W
  导通电阻(Rds(on)):约0.35Ω(典型值)
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C
  封装形式:TO-252(DPAK)

特性

KF9N25D-RTF/H 是一款高耐压、低导通电阻的功率 MOSFET,适用于多种高功率电子设备。其主要特性包括:高击穿电压(250V),可承受较高的电压应力;低导通电阻(Rds(on))可降低导通损耗,提高系统效率;具备良好的热稳定性,TO-252封装能够有效散热,适用于高电流应用;同时,该器件的栅极驱动电压范围宽,可达±20V,增强了其在不同控制电路中的适用性。此外,KF9N25D-RTF/H 在高温环境下仍能保持稳定工作,确保系统可靠性。
  该MOSFET的制造工艺采用先进的沟槽式技术,提高了载流能力和导通性能。其封装设计符合行业标准,便于PCB布局和安装,同时具备一定的机械强度和耐久性。KF9N25D-RTF/H 在电源转换器、电机驱动、负载开关和工业自动化控制等领域表现出色,是许多高性能电源设计的优选器件。

应用

KF9N25D-RTF/H 主要应用于需要高电压和中等电流能力的电力电子系统中。典型应用包括开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、LED照明驱动器、电机控制器、负载开关、电池管理系统以及各种工业控制设备。此外,该器件也可用于汽车电子系统中的功率管理模块,例如车载充电器、逆变器和电动助力转向系统等。由于其具备较高的可靠性和稳定性,KF9N25D-RTF/H 也常用于需要长时间运行的嵌入式系统和自动化设备中。

替代型号

常见的替代型号包括 IRF840、IRF830、2SK2545 和 FQA9N25C。这些型号在某些参数上略有差异,但通常可以在类似的电路中使用,具体应根据设计需求进行评估。

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