KF90N03是一款高性能的N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件具有低导通电阻和快速开关特性,适用于各种电源管理应用,包括开关电源、DC-DC转换器、负载开关以及电机驱动等场景。KF90N03采用了先进的制造工艺,能够在高效率和高可靠性之间取得良好的平衡。
最大漏源电压:30V
连续漏极电流:90A
导通电阻:2.5mΩ
栅极阈值电压:2.5V
最大工作结温:175°C
封装形式:TO-247
KF90N03具有以下显著特性:
1. 极低的导通电阻(Rds(on)),能够有效降低功率损耗。
2. 高额定电流能力,支持大电流应用。
3. 快速开关速度,适合高频开关电路。
4. 良好的热稳定性,能够在高温环境下可靠运行。
5. 提供强大的静电防护能力,增强器件的鲁棒性。
6. 封装形式为TO-247,便于散热设计和安装。
7. 符合RoHS标准,环保且安全可靠。
KF90N03广泛应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)中的功率开关。
2. DC-DC转换器的核心功率元件。
3. 电动汽车及工业电机驱动中的功率控制。
4. 大功率负载开关。
5. 各种需要高效功率管理的电子设备中。
6. 充电器、适配器等消费类电子产品中的关键组件。
IRFZ44N
STP90NF03
FDPF90N03