类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏源电压(Vds)：650V
　　最大漏极电流(Id)：7A（连续）
　　导通电阻(Rds(on))：典型值1.2Ω
　　栅极电压(Vgs)：±20V
　　最大功耗(Pd)：50W
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装类型：TO-220/TO-263

KF7N68F具有多项优异的电气和物理特性，使其在功率电子应用中表现出色。首先，其高耐压能力（650V）使其适用于高电压输入环境，例如AC/DC电源转换器和PFC（功率因数校正）电路。其次，该器件的低导通电阻（Rds(on)）有助于降低导通损耗，提高系统效率，同时减少发热，延长器件寿命。
　　此外，KF7N68F具备良好的热稳定性和高电流承载能力，能够在高负载条件下保持稳定工作状态。其快速开关特性也有助于减少开关损耗，适用于高频工作环境。KF7N68F还具备较强的抗雪崩能力和过热保护功能，确保在极端工作条件下仍能维持可靠性。
　　该MOSFET采用成熟的平面工艺制造，具有良好的一致性与稳定性，适用于批量生产和长期使用。其封装形式（如TO-220或TO-263）便于散热和安装，适合各类电源和电机控制应用。

KF7N68F广泛应用于各类电源管理系统和功率控制电路中。例如，它常用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、AC-DC适配器、LED驱动电源、电池充电器等设备中，作为主开关或同步整流器件使用。此外，该器件也适用于电机驱动器、电磁炉、变频器、UPS不间断电源以及工业自动化控制系统中的功率开关模块。
　　由于其高耐压和低导通电阻的特性，KF7N68F在PFC电路中也具有良好的表现，能够有效提升电源转换效率并降低能耗。在消费类电子产品中，如电视电源、电脑电源、智能家居设备电源等，KF7N68F也是常用的功率MOSFET之一。

IRF7N60C3, FQP7N60C, STF7N65M5, TK7A60W, FQA7N60C