KF7N60F-U/PS 时间：2025/5/7 12:14:57 阅读：8

KF7N60F-U/PS 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，广泛应用于开关电源、电机驱动、逆变器等高效率功率转换领域。该器件采用 TO-252 封装形式，具备低导通电阻和快速开关特性，适合中低电压应用环境。

参数

最大漏源电压：60V
　　连续漏极电流：18A
　　导通电阻：35mΩ（典型值）
　　栅极阈值电压：2.5V~4.5V
　　工作结温范围：-55℃~150℃

特性

KF7N60F-U/PS 具有优异的热性能和电气性能，其主要特点如下：
　　1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，能够有效降低功率损耗，提高系统效率。
　　2. 快速开关速度，减少了开关损耗并允许更高的工作频率。
　　3. 高雪崩能量能力，增强了在异常条件下的可靠性。
　　4. 符合 RoHS 标准，确保环保兼容性。
　　5. 内置反向二极管，简化电路设计并减少外部元件需求。
　　6. TO-252 封装提供良好的散热性能和易于安装的优势。

应用

KF7N60F-U/PS 被广泛用于以下应用领域：
　　1. 开关模式电源 (SMPS) 中的主开关管。
　　2. DC-DC 转换器中的同步整流 MOSFET。
　　3. 各类电机驱动控制电路。
　　4. UPS 不间断电源中的功率开关。
　　5. 电池管理系统的充放电控制。
　　6. 工业自动化设备中的负载切换功能。
　　7. LED 照明驱动电源中的关键功率组件。