时间：2025/9/12 16:25:32
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KF7N60F-U/P是一款N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于电源管理和功率转换电路中。该器件采用了先进的平面技术，具有较低的导通电阻和较高的开关速度，使其在高频开关应用中表现出色。KF7N60F-U/P采用TO-220封装，具备良好的散热性能，适合用于各种高功率密度设计。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏极电流（ID）：7A
最大漏源电压（VDS）：600V
最大栅源电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：典型值为1.2Ω（在VGS=10V时）
工作温度范围：-55℃至+150℃
封装形式：TO-220
功率耗散（PD）：83W
KF7N60F-U/P具有优异的电气性能和可靠性，适用于多种功率应用。其主要特性包括低导通电阻、高耐压能力、快速开关速度以及良好的热稳定性。这些特性使得该器件能够在高频率和高功率条件下稳定工作，从而提高整体系统的效率。此外，KF7N60F-U/P的TO-220封装形式提供了良好的散热能力，有助于降低工作温度，延长器件寿命。其高栅极绝缘能力（±20V）确保了在高压应用中的稳定性和安全性。
KF7N60F-U/P广泛应用于各种电源管理电路，如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机驱动器、电池充电器以及LED照明驱动电路。此外，它也常用于工业控制、消费电子和通信设备中的功率开关应用。由于其高耐压能力和良好的导通性能，KF7N60F-U/P在高功率密度和高效率要求的场合中表现出色。
IRF740、2SK2225、FQA7N60C、STP7NK60Z、TKA7N60U
