类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：600V
　　最大栅源电压（Vgs）：±30V
　　最大连续漏极电流（Id）：7A
　　最大功率耗散（Pd）：125W
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装形式：TO-220F/TO-263（具体封装形式取决于后缀标识，如FUF代表TO-263封装）
　　导通电阻（Rds(on)）：通常为1.2Ω（最大值为1.5Ω）
　　栅极电荷（Qg）：约20nC
　　输入电容（Ciss）：约1200pF
　　反向恢复时间（trr）：约450ns
　　工作频率：适用于100kHz以下的开关应用

KF7N60F-FUF/PS 作为一款高性能的功率MOSFET，具备多项优异的电气和热性能特性。首先，该器件具有较高的漏源击穿电压（600V），能够在高电压环境下稳定工作，适用于开关电源、AC-DC转换器等应用。其次，其7A的连续漏极电流能力使其能够承受较大的负载电流，适用于中高功率的电源设计。
　　此外，该MOSFET的导通电阻较低，典型值为1.2Ω，最大为1.5Ω，这有助于降低导通损耗，提高系统的整体效率。同时，该器件采用了先进的封装技术（如TO-263），具有良好的散热性能，能够在高温环境下稳定运行。
　　其栅极电荷（Qg）约为20nC，属于中等水平，适用于100kHz以下的开关频率应用。输入电容（Ciss）为约1200pF，这也影响了其在高频开关应用中的表现，但适合大多数中低频电源设计。反向恢复时间（trr）约为450ns，适用于标准的整流和开关应用。
　　从可靠性角度来看，KF7N60F-FUF/PS 具有良好的热稳定性和长期工作的可靠性，符合RoHS环保标准，适合工业级和消费类电子产品使用。

KF7N60F-FUF/PS 的主要应用场景包括开关电源（SMPS）、适配器、LED驱动电源、电机控制电路、工业自动化控制系统以及各种需要高效功率开关的电子设备。由于其高耐压、较大电流承载能力和良好的导通特性，该器件广泛用于电源转换器、DC-DC变换器、逆变器、电池充电器以及高功率LED照明系统中。
　　在开关电源中，该MOSFET可作为主开关管使用，负责将输入的高压直流电压通过高频开关转换为高频脉冲信号，以便通过变压器进行电压变换和隔离。在适配器设计中，该器件可作为初级侧开关，实现高效的能量传输和稳定的输出电压控制。
　　此外，在LED驱动器中，KF7N60F-FUF/PS 可用于构建升压或降压拓扑结构，实现恒流输出以驱动高亮度LED模组。在电机控制应用中，该MOSFET可用于H桥电路中，实现电机的正反转控制以及调速功能。
　　该器件还适用于工业控制系统的电源模块、智能电表、UPS不间断电源以及各种需要高可靠性和高效功率管理的场合。

KIA7N60F, FQP7N60C, IRF7N60C, STF7NM60ND, TK7A60D