KF7N50D 时间：2025/12/28 14:47:51 阅读：20

KF7N50D是一款N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要应用于电源管理和功率转换电路中。该器件采用先进的平面工艺制造，具有高耐压、低导通电阻和优良的热稳定性。KF7N50D广泛用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动器以及各种工业和消费类电子设备中。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压(Vds)：500V
　　最大栅源电压(Vgs)：±30V
　　最大连续漏极电流(Id)：7A（在25°C时）
　　导通电阻(Rds(on))：≤0.85Ω
　　功率耗散(Pd)：50W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-220

特性

KF7N50D具有优异的导通性能和开关特性，适用于高频和高效能应用。其低导通电阻(Rds(on))可以有效降低功率损耗，提高系统效率。
　　该器件采用高耐压设计，最大漏源电压可达500V，适合中高压功率应用。此外，KF7N50D的封装形式为TO-220，具有良好的散热性能，确保在高负载条件下稳定运行。
　　其栅极结构具有较高的抗静电能力和抗干扰能力，确保器件在复杂电磁环境中稳定工作。KF7N50D还具备良好的热稳定性，能够在高温环境下长时间运行而不会发生性能退化。
　　由于其高可靠性和良好的电气特性，KF7N50D在电源管理、逆变器、充电器、LED驱动、电机控制等领域得到了广泛应用。

应用

KF7N50D广泛应用于多种电力电子设备中，如开关电源(SMPS)、AC-DC和DC-DC转换器、电池充电器、LED照明驱动电源、电机驱动器和逆变器等。
　　在消费类电子产品中，它可用于电源适配器、智能家电和电动工具的控制电路中。
　　在工业控制领域，KF7N50D可用于PLC模块、自动化设备的功率开关电路、UPS不间断电源系统以及各类工业电源设备。
　　此外，该器件也可用于太阳能逆变器、电动车充电模块等新能源应用中。