KF7N50D-RTF 时间：2025/12/28 14:45:07 阅读：12

KF7N50D-RTF是一款N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高功率开关应用。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻、高耐压和高可靠性等特点，适用于电源管理、电机控制、DC-DC转换器、电源适配器以及其他需要高效率功率开关的场合。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：500V
　　栅源电压（VGS）：±30V
　　漏极电流（ID）：7A（连续）
　　导通电阻（RDS(on)）：约1.2Ω（最大值）
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：TO-252（DPAK）
　　功率耗散（PD）：80W
　　阈值电压（VGS(th)）：2V至4V

特性

KF7N50D-RTF具备多项优异的电气特性，首先其500V的漏源击穿电压使其适用于中高压功率转换系统。该器件的低导通电阻（RDS(on)）有效降低了导通损耗，提高了系统的整体效率。此外，该MOSFET具有较高的电流承载能力，在7A的连续漏极电流下仍能保持稳定工作。
　　该器件采用TO-252（DPAK）封装，具备良好的热管理和机械稳定性，适合表面贴装工艺，提高了生产效率和系统可靠性。KF7N50D-RTF还具有快速开关特性，能够适应高频工作环境，适用于开关电源（SMPS）、马达驱动、照明控制以及电池管理系统等应用场景。
　　其栅极驱动设计兼容常见的驱动电路，便于集成到现有系统中。同时，该MOSFET具备良好的抗雪崩能力和过载保护性能，能够在复杂工况下维持稳定运行。

应用

KF7N50D-RTF广泛应用于各种电力电子设备中，如AC-DC电源适配器、DC-DC转换器、逆变器、UPS不间断电源、工业控制设备以及LED照明驱动模块。其高耐压和低导通电阻特性也使其适用于太阳能逆变系统和电动车充电设备中的功率开关部分。此外，该器件也适用于马达控制电路和家用电器的电源管理模块，提供高效的能量转换和稳定的运行性能。