KF6N70I 时间：2025/12/28 15:03:31 阅读：24

KF6N70I 是一款由Kexin（科信）公司生产的N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于电源转换、电机控制、开关电源（SMPS）等领域。该器件采用先进的沟槽技术，提供高效率和低导通电阻，同时具备良好的热稳定性和耐用性，适用于中高功率的电子系统设计。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压(Vds)：700V
　　栅源电压(Vgs)：±20V
　　连续漏极电流(Id)：6A
　　功耗(Pd)：50W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-220
　　导通电阻(Rds(on))：典型值为1.2Ω（在Vgs=10V时）

特性

KF6N70I MOSFET采用了先进的沟槽式结构设计，使得其具有较低的导通电阻（Rds(on)）和更高的电流处理能力。其700V的漏源击穿电压使其非常适合用于高电压开关应用，例如AC-DC转换器、LED驱动电源、电机驱动和充电器设计。
　　此外，KF6N70I 具有良好的热稳定性，能够在高负载条件下保持稳定运行，延长设备的使用寿命。该器件的封装形式为TO-220，便于散热和安装，适用于多种工业标准电路板布局。
　　其栅极驱动特性较为友好，适合与常见的PWM控制器或微控制器配合使用，实现高效、稳定的开关控制。同时，该器件具备较强的抗雪崩击穿能力，增强了在高能脉冲环境下的可靠性。