类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：600V
　　栅源电压（Vgs）：±30V
　　连续漏极电流（Id）：5A
　　导通电阻（Rds(on)）：≤2.5Ω
　　功率耗散（Pd）：50W
　　工作温度范围：-55℃～+150℃
　　封装形式：TO-220F

KF5N60F-PSF具有多个优异的电气和热性能特性，确保其在高压和高功率应用中稳定运行。
　　首先，其低导通电阻（Rds(on)）小于2.5Ω，有效降低了导通损耗，提高了系统效率。
　　其次，该MOSFET具有高击穿电压（600V），能够承受较高的电压应力，适用于中高功率开关应用。
　　此外，KF5N60F-PSF采用了先进的平面工艺，提升了器件的开关速度，从而减少了开关损耗，适合高频开关环境。
　　封装形式为TO-220F，具备良好的散热能力，有助于器件在高负载条件下保持较低的工作温度。
　　最后，该器件具有良好的热稳定性和过温保护能力，能够在严苛的工作环境下保持可靠运行。

KF5N60F-PSF主要应用于各类功率电子设备中，适用于多种电源管理和功率转换场景。
　　在开关电源（SMPS）中，该MOSFET可作为主开关器件，用于高效转换电能，提高整体能效。
　　在DC-DC转换器中，KF5N60F-PSF可用于升压或降压拓扑结构，适用于电池管理系统和电源适配器等设备。
　　此外，该器件也广泛用于电机驱动器、UPS系统和LED驱动电源中，提供稳定的功率控制能力。
　　在工业自动化设备中，KF5N60F-PSF可作为高频开关元件，用于控制电机、继电器或其他高功率负载。
　　同时，该MOSFET也可用于消费类电子产品，如智能家电、变频空调和电能计量设备中，实现高效节能的电源管理方案。

FQP5N60C, IRF840, KF5N60, STF5N60DM2