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KF5N60D-RTF/H 发布时间 时间:2025/12/28 15:14:02 查看 阅读:17

KF5N60D-RTF/H是一款由Kexin Electronics生产的N沟道增强型功率MOSFET。这款器件设计用于高电压和高电流应用,具有良好的导通特性和较低的开关损耗。该MOSFET采用TO-252(DPAK)封装,适用于多种电源管理应用,例如DC-DC转换器、电机驱动、负载开关和电池管理系统等。KF5N60D-RTF/H的额定电压为600V,能够处理较高的电流,适合在较宽的温度范围内稳定运行。其设计确保了良好的热稳定性和可靠性,适用于工业级应用。

参数

类型:N沟道增强型MOSFET
  漏源电压(Vds):600V
  栅源电压(Vgs):±30V
  连续漏极电流(Id):5A(在25°C)
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C
  封装类型:TO-252(DPAK)
  导通电阻(Rds(on)):约2.0Ω(最大值)
  功耗(Pd):50W
  漏极电容(Coss):约200pF
  输入电容(Ciss):约1100pF

特性

KF5N60D-RTF/H具有多个优异的电气和物理特性。首先,其高耐压能力(600V Vds)使其能够适用于各种高压电源系统。其次,该器件的栅极氧化层设计提供了良好的栅极稳定性,可确保长期使用的可靠性。此外,KF5N60D-RTF/H具备较低的导通电阻(Rds(on)),有助于减少功率损耗,提高系统效率。其TO-252封装形式不仅提供了良好的散热性能,还支持表面贴装工艺,适合自动化生产。
  该MOSFET的开关特性优异,具有快速的上升和下降时间,适用于高频开关应用。同时,其内部结构设计优化了热阻,使得在高负载条件下仍能保持较低的温度上升。KF5N60D-RTF/H还具备较强的短路和过载承受能力,能够在极端工况下提供更高的安全性和稳定性。

应用

KF5N60D-RTF/H广泛应用于各类电力电子系统中。常见应用包括AC-DC电源适配器、DC-DC转换器、电机控制模块、电池管理系统(BMS)以及各种工业自动化设备中的开关电源部分。该器件还可用于LED驱动电路、充电器和电源管理模块等消费电子产品中。
  由于其高可靠性和良好的热性能,KF5N60D-RTF/H也适用于需要较高稳定性的工业控制和自动化设备,例如PLC、伺服驱动器和传感器模块。此外,在新能源领域,如太阳能逆变器和储能系统中,该MOSFET也能发挥重要作用。

替代型号

IRF840, FQP5N60C, STP5NK60Z, 2SK2647

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