KF5N50PZ 时间：2025/12/28 14:37:12 阅读：14

KF5N50PZ 是一款N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于电源管理和功率转换电路中。该器件采用先进的平面工艺制造，具备高耐压、低导通电阻和良好的热稳定性。KF5N50PZ 通常用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机驱动器以及各种高功率电子设备中。该器件采用TO-252（DPAK）封装形式，具有良好的散热性能。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：500V
　　栅源电压（VGS）：±30V
　　连续漏极电流（ID）：5A
　　导通电阻（RDS(on)）：≤2.0Ω（在VGS=10V时）
　　功耗（PD）：60W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：TO-252（DPAK）

特性

KF5N50PZ 具备多项优良特性，使其适用于多种高功率应用场景。
　　首先，该器件具有高达500V的漏源击穿电压（VDS），能够承受较高的电压应力，适用于高压开关电源和马达控制电路。其低导通电阻（RDS(on)）≤2.0Ω，确保在工作状态下导通损耗较低，提高了系统的整体效率。
　　其次，KF5N50PZ 采用TO-252（DPAK）封装，具备良好的热管理和散热性能，适用于表面贴装技术（SMT），有助于简化PCB布局并提高生产效率。
　　此外，该MOSFET具有较强的抗雪崩能力和高可靠性，能够在复杂电磁环境下稳定运行，适用于工业控制、电源适配器、LED驱动器等应用领域。
　　最后，KF5N50PZ 的栅极驱动电压范围较宽（±30V），增强了其在不同驱动电路中的兼容性，并具备较强的抗干扰能力。

应用

KF5N50PZ 主要应用于以下领域：
　　1. 开关电源（SMPS）：如AC-DC适配器、电源模块、UPS不间断电源等；
　　2. DC-DC转换器：包括升压（Boost）、降压（Buck）及反相（Flyback）拓扑结构中的功率开关；
　　3. 马达驱动器和继电器控制电路；
　　4. LED照明驱动电源；
　　5. 工业自动化控制系统中的功率开关模块；
　　6. 家用电器中的功率控制电路，如电饭煲、电磁炉等。