KF5N50IZ 时间：2025/12/28 14:43:12 阅读：14

KF5N50IZ 是一款由Kexin（科信）半导体公司生产的N沟道增强型功率MOSFET，适用于高效率电源转换和功率控制应用。该器件采用了先进的平面工艺技术，具备良好的热稳定性和电流承载能力，适合用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机驱动以及负载开关等场合。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压（VDS）：500V
　　栅源电压（VGS）：±30V
　　连续漏极电流（ID）：5A
　　功耗（PD）：83W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：TO-220、TO-251、TO-252等

特性

KF5N50IZ 具备低导通电阻（RDS(on)）的特点，通常在1.2Ω左右，能够有效降低导通损耗，提高电源转换效率。
　　其高耐压能力（500V VDS）使其适用于多种中高功率应用场景，同时具备良好的抗雪崩能力和短路耐受性。
　　该MOSFET采用了高可靠性封装工艺，具有良好的散热性能，能够在较高环境温度下稳定工作。
　　此外，KF5N50IZ 的栅极驱动电压范围较宽（±30V），兼容多种驱动电路设计，便于实现快速开关操作，降低开关损耗。
　　该器件还具备良好的热稳定性，在高负载条件下仍能保持稳定的电气性能，适用于工业级工作温度范围。

应用

KF5N50IZ 主要用于各类电源管理系统中，如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、AC-DC适配器等。
　　在LED驱动电源、电机控制电路、继电器或电磁阀驱动电路中也常被使用。
　　此外，该器件适用于各种需要高耐压、中等电流控制能力的负载开关应用，如电源管理模块和工业控制设备。
　　由于其高可靠性和耐压能力，KF5N50IZ 也广泛应用于家电、通信设备和自动化控制系统中。