KF5N50FS KF5N50 时间：2025/9/11 18:58:02 阅读：14

KF5N50FS KF5N50 是一款由Kexin（科信）公司制造的N沟道增强型MOSFET功率晶体管。该器件专为高电压、高功率应用而设计，常用于电源管理、DC-DC转换器、开关电源、逆变器以及各种需要高效能功率开关的场合。KF5N50FS的封装形式为TO-220，具有良好的热稳定性和电气性能，适合需要高可靠性的应用环境。该器件具有较低的导通电阻和较高的工作电流能力，能够有效降低功率损耗，提高整体系统效率。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：500V
　　漏极电流（ID）：5A
　　导通电阻（RDS(on)）：≤0.8Ω
　　栅极电压（VGS）：±20V
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装类型：TO-220

特性

KF5N50FS KF5N50 是一款性能优异的功率MOSFET，其主要特性体现在其电气性能和封装设计上。首先，其漏源电压为500V，这意味着它能够在较高的电压条件下稳定工作，适用于各种高压应用，如电源适配器、逆变器和电动工具驱动系统。其次，该MOSFET的漏极电流能力为5A，能够在较高负载条件下提供稳定的导通性能，确保系统运行的稳定性。
　　该器件的导通电阻（RDS(on)）低于0.8Ω，这一参数表明在导通状态下，KF5N50FS的功率损耗较低，有助于提高系统的整体效率并减少散热需求。此外，其栅极电压范围为±20V，确保了在各种驱动条件下都能可靠地控制导通与关断状态。KF5N50FS采用TO-220封装，具有良好的散热性能和机械强度，适用于需要较高散热能力的电路设计。其工作温度范围从-55°C到150°C，使其在各种恶劣环境下都能保持稳定运行。

应用

KF5N50FS KF5N50 主要用于中高功率电子设备中的开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机驱动电路、充电器和逆变器等应用。由于其具备较高的电压耐受能力和良好的导通特性，该器件在各类电源管理系统中被广泛采用。例如，在开关电源设计中，KF5N50FS可作为主开关管使用，实现高效的能量转换。在DC-DC转换器中，它可以作为高侧或低侧开关，用于升压（Boost）或降压（Buck）电路拓扑中。此外，该MOSFET也适用于工业自动化设备、家用电器和照明系统中的功率控制部分。由于其封装形式便于安装和散热管理，KF5N50FS在各类通用功率应用中具有广泛的适用性。