类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏源电压(Vds)：500V
　　最大栅源电压(Vgs)：±30V
　　最大连续漏极电流(Id)：5A（在25°C环境温度下）
　　导通电阻(Rds(on))：≤3.0Ω
　　功率耗散(Pd)：50W
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　存储温度范围：-55°C至+150°C
　　封装形式：TO-252（DPAK）

KF5N50DZ-RTF/HS具有多个显著特性，使其在各种电源应用中表现出色。首先，其低导通电阻确保了在高电流条件下仍能保持较低的导通损耗，从而提高整体系统效率。此外，该MOSFET具备较高的耐压能力，最大漏源电压可达500V，适用于高压电源转换系统。
　　其次，KF5N50DZ-RTF/HS采用TO-252封装，具有良好的散热性能，能够在高功率条件下稳定运行。该封装形式也便于自动化生产和安装，提高了制造效率。同时，该器件具备较强的抗瞬态过载能力，可在短时间高负载条件下正常工作，提高了系统的稳定性和可靠性。　　最后，该MOSFET具备良好的温度稳定性，能够在较宽的温度范围内正常工作，适用于各种恶劣环境。

KF5N50DZ-RTF/HS广泛应用于多个领域，包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、负载开关、马达控制电路以及电池管理系统等。在开关电源中，该器件用于高效能功率转换，提供稳定的电压输出。在DC-DC转换器中，其低导通电阻和快速开关特性有助于提高转换效率。此外，该MOSFET也适用于各种工业自动化设备、LED驱动器和电源适配器等应用。

KF5N50DZ-RTF/HS的替代型号包括IRF840、STP5NK50ZFP和FQA5N50C。这些型号在电气特性和封装形式上与KF5N50DZ-RTF/HS相近，可作为替换选项使用。