时间：2025/12/28 14:51:55
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KF5N50DS-RTF/P是一款由Kexin Electronics（科信电子）制造的N沟道功率MOSFET，适用于各种高功率开关应用。该器件采用先进的沟槽技术，提供优异的导通电阻和开关性能，适用于电源管理、马达控制和DC-DC转换器等应用。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压(VDS)：500V
栅源电压(VGS)：±20V
连续漏极电流(ID)：5A
最大导通电阻(RDS(on))：1.8Ω @ VGS=10V
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装类型：DIP-8 / TO-220
功率耗散(PD)：40W
KF5N50DS-RTF/P具备多项卓越特性，使其在高功率应用中表现出色。首先，其500V的漏源电压额定值使其适用于高压电源系统，如开关电源和逆变器。5A的连续漏极电流能力使其能够处理中等功率负载，适合用于马达驱动和电源管理电路。该MOSFET的导通电阻为1.8Ω，在VGS=10V时提供较低的导通损耗，从而提高系统的整体效率。
此外，该器件采用先进的沟槽式MOSFET结构，提升了开关速度和热稳定性，降低了开关损耗。其±20V的栅源电压额定值提供了良好的抗电压波动能力，确保在高压环境下稳定运行。封装形式为DIP-8或TO-220，具有良好的散热性能和机械稳定性，适用于工业级应用环境。
该MOSFET广泛应用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、马达驱动器、LED照明电源、家电控制电路以及工业自动化设备中的功率开关控制。
KF5N50D，2SK2545，2SK1318，IRF840，FQP5N50C
