类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压（VDS）：500V
　　连续漏极电流（ID）：5A（在Tc=25℃时）
　　脉冲漏极电流（IDM）：20A
　　栅源电压（VGS）：±30V
　　导通电阻（RDS(on)）：≤1.2Ω（在VGS=10V时）
　　栅极电荷（Qg）：约15nC（典型值）
　　工作温度范围：-55℃至+150℃
　　封装形式：TO-252（DPAK）

KF5N50DS-RTF/H具备多项优异特性，适用于中高功率应用。其最大漏源电压为500V，适用于多种高压电源转换系统。连续漏极电流能力为5A，在适当的散热条件下可以支持更高的负载。该器件的导通电阻较低，典型值为1.2Ω，能够在导通状态下减少功率损耗并提高系统效率。此外，其栅极电荷（Qg）为15nC，表明开关速度较快，适合高频应用。
　　KF5N50DS-RTF/H采用TO-252（DPAK）封装，具有良好的散热性能，支持表面贴装工艺，提高了PCB布局的灵活性。其工作温度范围为-55℃至+150℃，适用于工业级和消费类电子产品的严苛环境要求。该MOSFET还具备较高的抗雪崩击穿能力，增强了在高压瞬态条件下的可靠性。
　　该器件通常用于开关电源、DC-DC转换器、电机控制器、LED驱动器和负载开关等应用中。其低导通电阻和快速开关特性使其在高效率和高频率的电源系统中表现出色。

KF5N50DS-RTF/H适用于多种电源管理和功率控制应用。常见的应用包括开关电源（SMPS）、DC-DC降压/升压转换器、电机驱动器、LED照明驱动电路、电池管理系统和负载开关控制。由于其高耐压能力和良好的导通性能，该MOSFET也常用于家电、工业自动化设备和消费类电子产品中的电源转换模块。此外，该器件在太阳能逆变器、电源适配器和智能电表等应用中也表现出色。

KF5N50D, KF5N50F, 2SK2545, 2SK1318, FQP5N50C