KF5N50 时间：2025/9/12 10:10:16 阅读：6

KF5N50是一种N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），常用于开关电源、DC-DC转换器、逆变器等功率电子设备中。该器件具有高耐压、低导通电阻和良好的热稳定性等特点，适用于需要高效率和高可靠性的应用场合。KF5N50采用TO-220或TO-252等封装形式，便于散热和安装。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏极电压（Vds）：500V
　　最大栅极电压（Vgs）：±20V
　　最大连续漏极电流（Id）：5A（在25℃）
　　导通电阻（Rds(on)）：≤0.8Ω
　　最大功耗（Pd）：50W
　　工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
　　封装类型：TO-220、TO-252（根据具体制造商）

特性

KF5N50 MOSFET具备多项优良特性，适用于多种功率控制应用。首先，其最大漏极电压达到500V，使其能够适用于高压环境下的开关操作。其次，该器件的导通电阻较低（一般小于0.8Ω），有助于降低导通损耗，提高整体系统效率。此外，KF5N50具有良好的热稳定性和较高的功耗承受能力，能够在较高温度下稳定工作，提升了器件的可靠性。
　　该MOSFET的栅极电压范围为±20V，确保在各种控制信号下都能稳定工作。KF5N50通常采用TO-220或TO-252封装形式，具有良好的散热性能，便于安装在散热器上，适用于需要高功率密度的设计。
　　此外，KF5N50具有快速开关特性，能够实现高频工作，适用于开关电源、马达控制、逆变器等对响应速度要求较高的应用。其高可靠性和稳定性也使其在恶劣工作环境下仍能保持良好性能。

应用

KF5N50广泛应用于多种功率电子设备中，包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、UPS不间断电源、LED驱动电源、马达控制电路以及逆变器系统。由于其高耐压、低导通电阻和良好的热稳定性，KF5N50非常适合用于中高功率的开关控制场合。此外，在工业自动化设备、家电控制电路和电源管理系统中也有广泛应用。