KF5N25D-RTF/H 时间：2025/12/28 15:29:17 阅读：19

KF5N25D-RTF/H是一款由Kexin Electronics制造的N沟道增强型功率场效应晶体管（MOSFET），主要用于高效率电源转换和功率开关应用。这款MOSFET采用先进的平面工艺制造，具有较低的导通电阻和高耐压特性，适合用于DC-DC转换器、电源管理模块、电机控制以及各种高功率开关电路中。KF5N25D-RTF/H采用TO-252（DPAK）封装，便于散热并节省空间，适用于表面贴装技术（SMT），广泛应用于消费类电子、工业控制和汽车电子等领域。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：5A
　　漏源击穿电压（VDS）：250V
　　栅源击穿电压（VGS）：±30V
　　导通电阻（RDS(on)）：典型值为3.5Ω（在VGS=10V时）
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装类型：TO-252（DPAK）

特性

KF5N25D-RTF/H MOSFET具备多项优异性能，首先其250V的漏源击穿电压（VDS）使其适用于中高压功率转换应用，能够有效应对高电压应力情况下的工作需求。其次，其导通电阻RDS(on)典型值为3.5Ω，这在同类型MOSFET中属于较低水平，有助于降低导通损耗，提高电源转换效率。此外，该器件具有良好的热稳定性，TO-252封装设计有利于快速散热，确保在高负载条件下的稳定运行。
　　KF5N25D-RTF/H采用先进的硅栅技术，确保了器件在高频开关应用中的稳定性和可靠性。其±30V的栅源击穿电压提供了较大的栅极驱动灵活性，支持使用标准驱动电路进行控制。同时，该MOSFET具有较低的输入电容和输出电容，有助于减少开关过程中的能量损耗，提高响应速度。
　　该器件的工作温度范围宽广，从-55°C到+150°C，适用于各种严苛环境条件下的工业和汽车应用。此外，KF5N25D-RTF/H符合RoHS环保标准，不含铅和有害物质，适用于绿色环保电子产品设计。

应用

KF5N25D-RTF/H MOSFET广泛应用于多种电源管理和功率控制电路中。其主要应用包括但不限于以下领域：
　　1. **DC-DC转换器**：用于升压（Boost）和降压（Buck）转换电路中，实现高效能的电压转换，适用于笔记本电脑电源、车载充电器和便携式设备电源系统。
　　2. **开关电源（SMPS）**：作为主开关器件，用于AC-DC转换器中，提高电源转换效率并减小电源体积。
　　3. **马达控制**：在电动工具、风扇、泵类等马达驱动电路中，作为高速开关元件，实现对马达转速和方向的精确控制。
　　4. **电池管理系统（BMS）**：用于电池充放电保护电路中，确保电池组的安全运行。
　　5. **工业自动化设备**：在PLC、伺服驱动器和传感器供电模块中提供高效可靠的电源切换功能。