KF50BOT-TR 是一款由 Kinetic Technologies(原 KEC Corporation)生产的 N 沟道功率 MOSFET,广泛应用于电源管理、DC-DC 转换器、负载开关以及电池供电设备中。该器件采用先进的沟槽式 MOSFET 技术,具有低导通电阻(Rds(on))和高效率的特性,适用于需要高效率和低功耗的应用场景。KF50BOT-TR 采用 SOT-23 封装,便于在空间受限的 PCB 设计中使用。
类型:N 沟道 MOSFET
漏源电压(Vds):20V
栅源电压(Vgs):±12V
连续漏极电流(Id):5.0A
导通电阻(Rds(on)):@Vgs=4.5V 时最大为 22mΩ
功耗(Pd):1.5W
工作温度范围:-55°C 至 150°C
封装类型:SOT-23
KF50BOT-TR 的主要特性之一是其极低的导通电阻,使其在高电流应用中能够有效降低功率损耗并提高效率。该 MOSFET 在 4.5V 栅极驱动电压下即可实现较低的 Rds(on),适用于低压逻辑驱动电路。此外,该器件具有较高的热稳定性和良好的封装散热性能,适合在高负载和高温环境下使用。
KF50BOT-TR 采用 SOT-23 小型封装,具有良好的空间利用率,适用于便携式电子设备、电源管理模块和负载开关控制。其低栅极电荷(Qg)也使得该器件在高频开关应用中表现优异,有助于降低开关损耗。
该 MOSFET 具有良好的短路和过载保护能力,在电源转换器和电池管理系统中具有较强的稳定性和可靠性。此外,KF50BOT-TR 的生产过程符合 RoHS 标准,适用于环保型电子产品设计。
KF50BOT-TR 主要用于 DC-DC 转换器、同步整流器、负载开关、电池管理系统(BMS)、便携式电子设备的电源管理模块、电机驱动电路以及各种低电压高电流开关应用。由于其低导通电阻和高效率特性,特别适用于需要节能和高效能的电源设计。在 USB PD 电源适配器、智能功率模块以及移动电源等应用中也广泛使用该器件。
Si2302DS, AO3400, FDS6675, IRLML2402