时间：2025/7/22 4:29:36
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KF50BOT-TR 是一款由 Kinetic Technologies（原 KEC Corporation）生产的 N 沟道功率 MOSFET，广泛应用于电源管理、DC-DC 转换器、负载开关以及电池供电设备中。该器件采用先进的沟槽式 MOSFET 技术，具有低导通电阻（Rds(on)）和高效率的特性，适用于需要高效率和低功耗的应用场景。KF50BOT-TR 采用 SOT-23 封装，便于在空间受限的 PCB 设计中使用。
类型：N 沟道 MOSFET
漏源电压（Vds）：20V
栅源电压（Vgs）：±12V
连续漏极电流（Id）：5.0A
导通电阻（Rds(on)）：@Vgs=4.5V 时最大为 22mΩ
功耗（Pd）：1.5W
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装类型：SOT-23
KF50BOT-TR 的主要特性之一是其极低的导通电阻，使其在高电流应用中能够有效降低功率损耗并提高效率。该 MOSFET 在 4.5V 栅极驱动电压下即可实现较低的 Rds(on)，适用于低压逻辑驱动电路。此外，该器件具有较高的热稳定性和良好的封装散热性能，适合在高负载和高温环境下使用。
KF50BOT-TR 采用 SOT-23 小型封装，具有良好的空间利用率，适用于便携式电子设备、电源管理模块和负载开关控制。其低栅极电荷（Qg）也使得该器件在高频开关应用中表现优异，有助于降低开关损耗。
该 MOSFET 具有良好的短路和过载保护能力，在电源转换器和电池管理系统中具有较强的稳定性和可靠性。此外，KF50BOT-TR 的生产过程符合 RoHS 标准，适用于环保型电子产品设计。
KF50BOT-TR 主要用于 DC-DC 转换器、同步整流器、负载开关、电池管理系统（BMS）、便携式电子设备的电源管理模块、电机驱动电路以及各种低电压高电流开关应用。由于其低导通电阻和高效率特性，特别适用于需要节能和高效能的电源设计。在 USB PD 电源适配器、智能功率模块以及移动电源等应用中也广泛使用该器件。
Si2302DS, AO3400, FDS6675, IRLML2402
