类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压(Vds)：600V
　　栅源电压(Vgs)：±20V
　　最大漏极电流(Id)：4A（在25°C）
　　导通电阻(Rds(on))：通常为2.5Ω
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装形式：TO-220、TO-251、TO-252等
　　功耗(Pd)：50W
　　漏极电容(Coss)：约80pF
　　输入电容(Ciss)：约1000pF

KF4N60D采用了先进的平面工艺，具备良好的导通特性和较低的导通损耗。其导通电阻Rds(on)在典型工作条件下约为2.5Ω，使得该器件在高电流工作状态下依然能够保持较低的功耗。此外，KF4N60D的栅极驱动电压范围为±20V，适用于多种驱动电路设计。
　　KF4N60D具有较高的开关速度，适用于高频开关应用。其漏极电容Coss约为80pF，输入电容Ciss约为1000pF，使得该器件在高频工作条件下仍能保持稳定的性能。此外，KF4N60D的封装形式多样，包括TO-220、TO-251和TO-252等，适用于不同的安装和散热需求。
　　该器件的工作温度范围为-55°C至150°C，具有良好的热稳定性和可靠性。KF4N60D的功耗为50W，适用于高功率密度应用。其漏极电流能力在25°C下可达4A，并在高温下仍能保持较高的电流承载能力。

KF4N60D广泛应用于电源管理系统、电机控制电路、DC-DC转换器、开关电源（SMPS）、LED驱动器、逆变器、充电器等电子设备中。其高耐压、低导通电阻和快速开关特性使其适用于多种高功率密度和高效率要求的应用场景。
　　在电源管理系统中，KF4N60D可作为主开关元件，用于控制电源的通断和调节输出电压。在电机控制电路中，该器件可用于PWM调速和方向控制，提供高效的电机驱动能力。在DC-DC转换器中，KF4N60D可用于升压（Boost）或降压（Buck）拓扑结构，实现高效的电压转换。
　　此外，KF4N60D还可用于LED照明驱动器，提供稳定的电流控制和高效的能量转换。在逆变器和充电器应用中，该器件可用于实现高效的能量转换和稳定的输出特性。

IRF740、2SK2225、2SK1318、FQA4N60C、FQP4N60C