KF4N20LD 时间：2025/9/12 11:23:11 阅读：10

KF4N20LD 是一款由Kexin Electronics（科信电子）生产的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于开关电源、DC-DC转换器、电机控制以及负载开关等应用中。该器件采用高密度单元设计，具有低导通电阻、高耐压和高电流容量等特点，适用于高效能、高可靠性的电子系统。KF4N20LD通常采用TO-252（DPAK）封装形式，具备良好的热稳定性和电气性能。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏源电压(VDS)：200V
　　最大栅源电压(VGS)：±20V
　　最大连续漏极电流(ID)：4A
　　导通电阻(RDS(on))：≤2.5Ω（典型值）
　　功耗(PD)：50W
　　工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
　　封装形式：TO-252（DPAK）

特性

KF4N20LD具备多项优良的电气与物理特性。首先，其最大漏源电压为200V，能够满足高压应用场景的需求，适用于多种电源转换系统。其次，该MOSFET的导通电阻较低，典型值小于2.5Ω，有助于降低导通损耗，提高系统效率。此外，KF4N20LD的最大连续漏极电流为4A，能够承载中等功率负载，适用于如电源管理、电机驱动、负载开关等场景。该器件的栅源电压允许范围为±20V，具备一定的抗过压能力，增强了使用的灵活性和安全性。
　　在热性能方面，KF4N20LD采用TO-252（DPAK）封装，具备良好的散热能力，适合在较高功率环境下稳定运行。其最大功耗为50W，能够在不使用额外散热片的情况下保持较好的热稳定性。此外，KF4N20LD的工作温度范围为-55℃至+150℃，适应多种工业级和消费级应用场景，具有较强的环境适应性和可靠性。整体而言，KF4N20LD是一款性能稳定、适用范围广的中高压功率MOSFET器件。

应用

KF4N20LD主要用于各类功率电子设备中，作为开关元件使用。其典型应用包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电池管理系统（BMS）、电机驱动电路、LED照明驱动器、工业自动化控制电路以及负载开关等。由于其具备较高的耐压能力和良好的导通性能，KF4N20LD适用于需要中等功率控制的场合，尤其是在需要高效能、高稳定性的电源管理系统中表现优异。此外，该器件也适用于一些消费类电子产品，如电源适配器、充电器、智能家电控制模块等。其TO-252封装形式便于焊接和安装，适用于自动化生产流程，提高了生产效率和产品一致性。