KF4N20LD-RTF/HS 时间：2025/12/28 15:03:09 阅读：21

KF4N20LD-RTF/HS 是一款由KEC Corporation（现为KOSDAQ上市的Key Electronics）制造的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件专为高效功率转换应用而设计，适用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、负载开关、马达控制以及各种电源管理电路中。KF4N20LD-RTF/HS采用了先进的平面工艺技术，具备较低的导通电阻（Rds(on)）和高耐压能力，能够在较高的工作频率下保持良好的效率和稳定性。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：200V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：4A
　　功耗（Pd）：40W
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装形式：TO-220F（表面贴装型）
　　导通电阻（Rds(on)）：≤2.5Ω（典型值）
　　阈值电压（Vgs(th)）：2V至4V

特性

KF4N20LD-RTF/HS具有多项优良特性，使其在功率电子应用中表现出色。
　　首先，其200V的漏源耐压能力使其适用于高电压输入的电源转换系统，如AC-DC适配器、工业电源和LED驱动器等。其次，该MOSFET的导通电阻较低，典型值小于2.5Ω，有助于降低导通损耗，提高转换效率，尤其适用于高频开关应用。
　　此外，KF4N20LD-RTF/HS采用TO-220F封装，具备良好的热传导性能，能够有效散热并维持稳定的工作温度。该封装形式也支持表面贴装工艺（SMT），适用于自动化生产流程，提高制造效率和可靠性。
　　在电气特性方面，该器件具有较高的栅极阈值电压（2V至4V），有助于提高抗干扰能力，防止误触发。同时其栅极电荷量（Qg）较低，有利于减少开关损耗，在高频应用中保持较高的效率。
　　KF4N20LD-RTF/HS还具备良好的雪崩击穿耐受能力，能够在异常工况下提供一定的保护能力，增强系统的稳定性与寿命。

应用

KF4N20LD-RTF/HS广泛应用于各类中高功率电子系统中，特别是在需要高效能、高稳定性和紧凑设计的场合。例如，在开关电源（SMPS）中，该器件可用作主开关管或同步整流管，有效提高转换效率并减小电源体积；在DC-DC转换器中，作为功率开关使用，适用于隔离或非隔离型拓扑结构。
　　在工业自动化设备中，KF4N20LD-RTF/HS可用于驱动继电器、电磁阀、马达等感性负载，具备良好的开关特性和耐久性。在LED照明系统中，该器件可作为恒流驱动电路中的开关元件，提高系统效率和可靠性。
　　此外，该MOSFET还可用于电池管理系统（BMS）、充电器、逆变器、UPS电源等应用，满足多样化的功率控制需求。