KF4N20LD-RTF/H 时间：2025/9/12 11:03:22 阅读：23

KF4N20LD-RTF/H 是一款由Kexin（科信）公司生产的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件主要设计用于高效率、高功率密度的开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、负载开关以及电机控制等应用场景。KF4N20LD-RTF/H采用了先进的平面工艺技术，具备良好的热稳定性和导通性能，能够在较高频率下工作，从而减少外部元件数量并提高系统效率。该封装为TO-252（DPAK）形式，便于散热和安装，适用于表面贴装工艺。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：200V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：4A
　　导通电阻（Rds(on)）：≤2.5Ω（@Vgs=10V）
　　功耗（Pd）：50W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　存储温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-252（DPAK）

特性

KF4N20LD-RTF/H具备多项优异的电气和物理特性，适用于多种电源管理应用。首先，其最大漏源电压为200V，能够满足中高压电源转换的需求，如AC-DC适配器、离线式电源系统等。在栅源电压为10V的条件下，其导通电阻Rds(on)最大仅为2.5Ω，这意味着在工作过程中产生的导通损耗较小，有助于提高系统整体效率。
　　此外，该MOSFET支持连续漏极电流最大为4A，能够在中等功率负载条件下稳定运行。其±20V的栅源电压耐受能力也增强了器件在复杂电磁环境下的可靠性，防止栅极氧化层被击穿。TO-252（DPAK）封装设计具有良好的热传导性能，有利于快速散热，保证器件在高功率密度条件下的稳定运行。
　　该器件的工作温度范围宽达-55°C至+150°C，适用于多种工业级应用场景，包括汽车电子、工业控制、电源模块等领域。同时，其存储温度范围同样广泛，确保在不同环境条件下的长期稳定性。KF4N20LD-RTF/H的表面贴装封装形式也有利于实现自动化生产，提高制造效率。

应用

KF4N20LD-RTF/H 广泛应用于各类电力电子系统中。常见的使用场景包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、LED驱动电路、电机控制电路、电池管理系统（BMS）、智能电表、UPS不间断电源、家电控制板等。由于其具备良好的导通性能和热稳定性，特别适合在需要高效能、小体积设计的电源系统中作为主开关器件或负载开关使用。在汽车电子领域，该器件可用于车载充电器、电动工具、车载逆变器等系统中，提供可靠的功率控制能力。