类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压(VDS)：200V
　　栅源电压(VGS)：±20V
　　连续漏极电流(ID)：4A
　　脉冲漏极电流(IDM)：16A
　　导通电阻(RDS(on))：约2.5Ω（典型值）
　　功耗(PD)：30W
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　存储温度范围：-55°C至+150°C

KF4N20D具有多项优异的电气和物理特性，使其在功率电子应用中表现出色。首先，其低导通电阻（RDS(on)）能够显著降低导通损耗，提高系统的整体效率。其次，该器件具有较高的耐压能力，漏源电压可达到200V，能够承受较高的电压应力，适用于高压电源系统。此外，KF4N20D的栅极电荷（Qg）较低，有助于减少开关损耗，提高开关速度，从而实现更高的工作效率。
　　在封装方面，KF4N20D采用TO-220或TO-252（DPAK）封装，具有良好的散热性能，能够在高电流条件下保持稳定运行。该封装形式也便于安装和焊接，适用于自动化生产流程。KF4N20D还具有良好的热稳定性和抗过载能力，在高温环境下依然能够保持良好的性能表现。
　　此外，KF4N20D具有较强的抗静电能力（ESD），在正常使用和操作过程中不易受到静电干扰或损坏。这使得该器件在工业环境和消费类电子产品中都能稳定工作。总体而言，KF4N20D以其优异的电气性能、稳定的可靠性和广泛的适用性，成为中高功率应用中的理想选择。

KF4N20D因其优异的电气特性和可靠性，广泛应用于多种电源管理和功率控制电路中。主要应用包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、AC-DC适配器、电池充电器、LED驱动电源等。由于其高耐压和低导通电阻的特性，KF4N20D非常适合用于高效率、高频率的功率转换系统，能够有效提升整体电源转换效率。
　　此外，KF4N20D还可用于马达控制、电风扇调速、继电器驱动等工业控制领域。其良好的热稳定性和抗过载能力，使其在高温或高负载条件下依然能够稳定运行。在消费类电子产品中，KF4N20D也常用于电源管理模块、充电器和便携式设备的功率开关电路中。
　　值得一提的是，该器件还可作为电子负载、逆变器和UPS（不间断电源）系统中的关键开关元件，发挥重要的功率控制作用。由于其封装形式便于安装和维护，KF4N20D也常用于各类工业电源模块和自动化控制设备中。

IRF4N20、FQP4N20C、STP4NK20Z、2SK2143、2SK2148