KF3N80F 时间：2025/9/12 9:00:08 阅读：21

KF3N80F是一款N沟道增强型功率场效应晶体管（MOSFET），广泛应用于电源管理和功率转换电路中。该器件采用先进的平面工艺技术制造，具有高耐压、低导通电阻和良好的热稳定性，适合在开关电源、DC-DC转换器、负载开关以及电机驱动等场景中使用。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：800V
　　栅源电压（Vgs）：±30V
　　连续漏极电流（Id）：3A
　　导通电阻（Rds(on)）：典型值2.5Ω（最大值3.5Ω）
　　功率耗散（Pd）：50W
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装形式：TO-92（部分型号也可能提供其他封装选项）

特性

KF3N80F具有出色的开关性能和较低的导通损耗，能够在高频工作条件下保持高效运行。
　　其高耐压能力（800V Vds）使其适用于高压应用，如AC/DC电源适配器和工业控制设备。
　　器件的栅极氧化层经过优化设计，具备良好的抗静电能力，提高了器件的可靠性。
　　此外，KF3N80F采用低成本、高性能的TO-92封装，便于安装和散热管理，适用于各种通用功率开关场合。
　　由于其优异的温度稳定性，KF3N80F在高温环境下仍能保持稳定的工作性能。

应用

KF3N80F常用于各类开关电源电路，如适配器、充电器和LED驱动电源。
　　在DC-DC转换器中，作为主开关器件或同步整流器件使用，有助于提高系统效率。
　　该器件也适用于负载开关电路，如继电器驱动、电机控制和灯具调光系统。
　　在工业自动化设备中，KF3N80F可用于驱动感性负载，如电磁阀和小型电机。
　　由于其高耐压特性，该器件也常见于高压测试设备和电源管理系统中。