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KF3N80F 发布时间 时间:2025/9/12 9:00:08 查看 阅读:21

KF3N80F是一款N沟道增强型功率场效应晶体管(MOSFET),广泛应用于电源管理和功率转换电路中。该器件采用先进的平面工艺技术制造,具有高耐压、低导通电阻和良好的热稳定性,适合在开关电源、DC-DC转换器、负载开关以及电机驱动等场景中使用。

参数

类型:N沟道MOSFET
  漏源电压(Vds):800V
  栅源电压(Vgs):±30V
  连续漏极电流(Id):3A
  导通电阻(Rds(on)):典型值2.5Ω(最大值3.5Ω)
  功率耗散(Pd):50W
  工作温度范围:-55°C至150°C
  封装形式:TO-92(部分型号也可能提供其他封装选项)

特性

KF3N80F具有出色的开关性能和较低的导通损耗,能够在高频工作条件下保持高效运行。
  其高耐压能力(800V Vds)使其适用于高压应用,如AC/DC电源适配器和工业控制设备。
  器件的栅极氧化层经过优化设计,具备良好的抗静电能力,提高了器件的可靠性。
  此外,KF3N80F采用低成本、高性能的TO-92封装,便于安装和散热管理,适用于各种通用功率开关场合。
  由于其优异的温度稳定性,KF3N80F在高温环境下仍能保持稳定的工作性能。

应用

KF3N80F常用于各类开关电源电路,如适配器、充电器和LED驱动电源。
  在DC-DC转换器中,作为主开关器件或同步整流器件使用,有助于提高系统效率。
  该器件也适用于负载开关电路,如继电器驱动、电机控制和灯具调光系统。
  在工业自动化设备中,KF3N80F可用于驱动感性负载,如电磁阀和小型电机。
  由于其高耐压特性,该器件也常见于高压测试设备和电源管理系统中。

替代型号

KF3N80、KF3N80Y、2N6789、2N6790、FQP3N80C

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