KF3N60I 时间：2025/9/12 16:56:50 阅读：7

KF3N60I是一款由Kexin Electronics（科信电子）制造的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于高功率开关和电源转换应用。该器件具有低导通电阻、高耐压能力和良好的热稳定性，适用于如电源适配器、DC-DC转换器、LED驱动器和电机控制系统等应用。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：600V
　　最大栅源电压（Vgs）：±30V
　　最大连续漏极电流（Id）：3A
　　导通电阻（Rds(on)）：≤3.5Ω @ Vgs=10V
　　功率耗散（Pd）：50W
　　工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
　　封装类型：TO-220

特性

KF3N60I的主要特性之一是其高达600V的漏源击穿电压，使其能够在高压环境中稳定工作。该器件的低导通电阻（Rds(on)）在10V栅极电压下不超过3.5Ω，有助于减少导通损耗，提高电源转换效率。此外，KF3N60I具备良好的热性能，TO-220封装能够有效散热，支持高达50W的功率耗散，使其适用于中高功率应用。该MOSFET的栅极驱动电压范围较宽，在±30V以内均可安全操作，增加了其在不同驱动电路中的适用性。KF3N60I还具备较高的抗雪崩能力，能够在瞬态过压情况下提供一定的保护，增强了系统的稳定性。此外，该器件具有快速开关特性，适用于高频开关电源和DC-DC变换器，减少了开关损耗并提升了系统效率。
　　KF3N60I的设计使其在电源管理和功率控制应用中表现出色。其高耐压、低导通电阻和良好的热管理能力，使其在AC-DC电源适配器、LED照明驱动器、电机控制电路以及工业自动化设备中广泛使用。由于其良好的电气性能和稳定性，KF3N60I在替代传统双极型晶体管（BJT）的应用中也表现出明显优势，尤其是在需要高效率和快速开关响应的电路中。