类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：600V
　　栅源电压（VGS）：±30V
　　连续漏极电流（ID）：3A
　　最大功耗（PD）：50W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　存储温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-220F

KF3N60D-RTF/HS 是一款性能优异的N沟道功率MOSFET，其主要特性包括高耐压、低导通电阻和优异的热稳定性。该器件的漏源电压（VDS）可达600V，适用于中高功率的开关电源和LED驱动电路。其栅源电压（VGS）范围为±30V，具有较强的抗干扰能力，避免因电压波动导致的误导通或损坏。
　　该MOSFET的连续漏极电流（ID）为3A，在合理散热条件下可稳定运行，适合用于小型电机控制、DC-DC转换器和电源管理系统。其最大功耗为50W，表明该器件具备良好的散热能力，可在较高功率环境下长期工作而不至于过热失效。
　　KF3N60D-RTF/HS 采用TO-220F封装，该封装形式具有良好的散热性能和机械强度，适合焊接在PCB上并用于工业环境。此外，该器件的工作温度范围为-55°C至+150°C，可在极端温度条件下保持稳定运行，增强了其在各种应用中的适应性。
　　该MOSFET还具备较低的开关损耗和导通损耗，适用于高频开关应用。其优化设计提高了能效，降低了系统发热，从而延长了整体设备的使用寿命。此外，KF3N60D-RTF/HS具备较高的抗雪崩能力，能够在负载突变或短路情况下提供额外的保护，提高系统的可靠性。

KF3N60D-RTF/HS 主要用于需要高耐压、低导通电阻和高效能的电子设备中。常见的应用包括开关电源（SMPS）、LED驱动电源、DC-DC转换器、电动工具控制电路、电机驱动器以及工业自动化控制系统。由于其具备良好的热稳定性和高频响应能力，该MOSFET也适用于高频逆变器和节能照明系统。此外，其优异的抗干扰能力和宽工作温度范围使其在车载电子系统和户外设备中也有广泛应用。

TK3N60D, FQP3N60C, IRF740