KF3N40W 是一款由Kexin Electronics生产的N沟道功率MOSFET,广泛应用于电源管理、开关电源(SMPS)和DC-DC转换器等电路中。该器件采用了先进的平面工艺技术,具有低导通电阻、高耐压和优异的热稳定性,能够在高频率和高电流条件下稳定工作。KF3N40W采用TO-220封装形式,便于散热并适用于各种工业和消费类电子设备。
类型:N沟道MOSFET
漏源电压(VDS):400V
栅源电压(VGS):±20V
连续漏极电流(ID):3A
导通电阻(RDS(on)):≤3.5Ω
工作温度范围:-55℃ ~ +150℃
封装类型:TO-220
KF3N40W MOSFET具有多项优良特性,首先其低导通电阻(RDS(on))可有效降低导通损耗,提高系统效率。该器件的高耐压能力(400V VDS)使其适用于中高压电源应用,如开关电源、适配器和LED驱动器等。
此外,KF3N40W采用TO-220封装,具有良好的热性能,能够有效散热以确保在较高工作电流下的稳定性。其栅极驱动电压范围宽,支持±20V,便于与多种驱动电路兼容。
该MOSFET还具备较强的抗雪崩能力,能在瞬态过压条件下保持稳定运行,提高系统的可靠性和耐用性。KF3N40W在设计上优化了开关特性,减少开关过程中的能量损耗,适用于高频开关应用。
总体而言,KF3N40W是一款性能稳定、适用范围广的功率MOSFET,特别适合于中等功率的电源转换系统,具有良好的性价比和广泛的市场应用。
KF3N40W 主要应用于开关电源(SMPS)、适配器、LED驱动电源、DC-DC转换器、电池充电器、电机控制电路、负载开关以及工业自动化设备中的功率开关控制等场景。由于其良好的热稳定性和较高的耐压能力,该器件也适用于需要较高可靠性的家电和工业控制设备。
TK3N40Z, 2N6764, IRF840, FQP3N40