类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压(Vds)：400V
　　栅源电压(Vgs)：±20V
　　连续漏极电流(Id)：3A
　　功耗(Pd)：50W
　　工作温度范围：-55℃~150℃
　　存储温度范围：-55℃~150℃
　　封装形式：TO-220

KF3N40W-RTK/P 具备一系列优异的电气和热性能特点，适用于多种电源管理应用。其漏源电压为400V，能够在较高电压下稳定工作，适合用于开关电源、DC-DC转换器和电机控制电路。此外，该MOSFET的栅源电压范围为±20V，具备良好的栅极控制能力，能够有效防止过压损坏。KF3N40W-RTK/P的最大连续漏极电流为3A，在适当的散热条件下可以支持较高功率负载。器件的功耗为50W，具有较强的热稳定性。
　　该MOSFET采用TO-220封装，具备良好的散热性能，便于在电路板上安装和维护。KF3N40W-RTK/P的工作温度范围为-55℃~150℃，适用于宽温度范围的应用环境。其存储温度范围同样为-55℃~150℃，确保在极端环境下的可靠性。KF3N40W-RTK/P还具有低导通电阻的特点，有助于降低功率损耗，提高整体能效。这种MOSFET适用于多种应用场景，包括电源适配器、照明系统、家用电器和工业控制设备。

KF3N40W-RTK/P 主要应用于电源管理领域，包括开关电源、AC-DC转换器、DC-DC转换器、电机驱动电路和负载开关。此外，它还可用于LED照明、家用电器控制电路、工业自动化设备以及电池管理系统。该器件的高电压和中等电流特性使其成为多种中高功率应用的理想选择。

KF3N40W, 2SK2545, 2SK1318, 2SK1172