KF3N40W-RTF/H 是一款由Kexin(科信)公司生产的N沟道功率MOSFET。该器件专为高效能、低损耗功率转换应用设计,具有较高的耐压能力与较低的导通电阻,适用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关以及马达控制等多种电子系统。该MOSFET采用先进的平面工艺制造,具有良好的热稳定性和可靠性。其封装形式为TO-252(DPAK),适用于表面贴装技术,便于在PCB上安装。
类型:N沟道
最大漏源电压(Vds):400V
最大漏极电流(Id):3A
导通电阻(Rds(on)):≤2.5Ω @ Vgs=10V
栅极阈值电压(Vgs(th)):1V~2.5V
最大功耗(Pd):50W
工作温度范围:-55°C ~ +150°C
KF3N40W-RTF/H 具有优异的导通特性和开关性能,能够在高电压和高频率环境下稳定工作。其低导通电阻(Rds(on))有助于降低功率损耗,提高系统效率。
此外,该器件具有良好的热阻特性,能够有效散热,确保长时间运行的可靠性。由于其采用了先进的平面工艺,KF3N40W-RTF/H 在高频应用中表现出色,适用于各种开关电源设计。
封装形式为TO-252,具备良好的机械强度和热传导性能,适合自动化装配和回流焊工艺。该MOSFET还具备较高的抗静电能力,提升了器件在复杂环境下的稳定性与耐用性。
该MOSFET广泛应用于各种电源管理系统,包括AC-DC电源适配器、DC-DC转换器、LED驱动电路、电机控制模块以及工业自动化设备中的开关电路。由于其良好的热稳定性和较高的耐压性能,KF3N40W-RTF/H 也非常适合用于电池供电设备和节能型电源设计中。
在消费类电子产品中,如智能家电、路由器电源模块、充电器等产品中也有广泛应用。此外,该器件也可用于汽车电子系统中的低功耗控制单元,如车灯控制、风扇调速等场景。
KF3N40W, FQP3N40, IRF740, STP3NK50Z, 2SK2545