KF3N40D-RTF/H 时间：2025/12/28 15:03:23 阅读：12

KF3N40D-RTF/H是一款功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），专为高效率功率转换应用而设计。它采用了先进的平面条形技术和DMOS结构，具有较低的导通电阻和高耐压能力，适用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关和马达控制等应用。该器件封装为TO-252（DPAK），具有良好的热性能和可靠性。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：400V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：3A
　　导通电阻（RDS(on)）：≤2.2Ω（在VGS=10V时）
　　功率耗散（PD）：50W
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装类型：TO-252（DPAK）

特性

KF3N40D-RTF/H具备优异的电性能和热稳定性，其低导通电阻（RDS(on)）有助于降低导通损耗，提高系统效率。采用先进的沟槽式DMOS工艺，使其在高频开关应用中表现出色。该器件具有较高的雪崩能量耐受能力，增强了在极端工作条件下的可靠性。此外，KF3N40D-RTF/H还具有良好的栅极电荷特性，有助于降低开关损耗，提高功率转换效率。
　　该MOSFET采用TO-252封装，具备良好的散热性能，适用于紧凑型设计中的高功率密度需求。其封装结构确保了良好的机械稳定性和焊接可靠性，适用于自动贴片工艺。KF3N40D-RTF/H还具备良好的抗静电能力，能够承受较高的ESD冲击，提高产品的使用寿命和稳定性。

应用

该器件广泛应用于各类电源管理系统，如AC-DC电源适配器、DC-DC转换器、LED照明驱动电源、电机控制电路、电池管理系统（BMS）以及工业自动化控制系统。由于其优异的高频开关特性和低导通损耗，KF3N40D-RTF/H特别适用于需要高效率和小体积设计的开关电源（SMPS）应用。此外，它也可用于负载开关、电源整流、逆变器和变频器等功率电子设备。