时间：2025/6/22 9:03:11
阅读：3
KF30N03K是一种N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件具有低导通电阻和快速开关速度的特点，适用于多种电源管理和功率转换应用。KF30N03K广泛用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动和负载开关等领域。
最大漏源电压：30V
最大连续漏极电流：18A
最大栅源电压：±20V
开关时间：开通延迟时间 16ns，关断传播时间 13ns
工作结温范围：-55℃至+150℃
KF30N03K具备低导通电阻，这有助于减少传导损耗并提高效率。
其快速的开关性能可以支持高频操作，从而降低系统尺寸和成本。
此外，该器件具有良好的热稳定性和抗雪崩能力，确保在严苛环境下的可靠运行。
KF30N03K采用DPAK封装形式，便于散热管理，并且符合RoHS标准。
KF30N03K适用于各种需要高效功率转换的应用场景，例如开关模式电源（SMPS）、降压和升压DC-DC转换器、电机控制电路、电池保护系统以及音频功率放大器等。
它还被用作负载开关或续流二极管，在汽车电子、工业设备和消费类电子产品中发挥重要作用。
IRFZ44N
STP18NF06L
FDP18N06L
