KF19N20F 时间：2025/12/28 16:19:11 阅读：14

KF19N20F是一款N沟道增强型功率MOSFET，适用于高效率电源管理系统。它采用了先进的平面条形技术，提供低导通电阻和高耐压能力，广泛用于开关电源、DC-DC转换器、负载开关以及电池管理系统中。该器件采用TO-220封装，具有良好的热稳定性和可靠性。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压(Vds)：200V
　　栅源电压(Vgs)：±30V
　　连续漏极电流(Id)：19A（在Tc=25℃）
　　脉冲漏极电流(Imp)：76A
　　导通电阻(Rds(on))：0.16Ω（最大值）
　　工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
　　封装类型：TO-220

特性

KF19N20F具有出色的电气性能和热管理能力。其低导通电阻有助于减少导通损耗，提高整体系统效率。器件的高耐压能力（200V Vds）使其适用于多种中高压电源应用。此外，KF19N20F具备较高的电流承载能力，在19A连续漏极电流下仍能保持稳定工作。
　　该MOSFET采用先进的平面工艺制造，确保了器件的高可靠性和长寿命。其TO-220封装形式便于安装和散热，适用于各种工业环境。KF19N20F还具备良好的抗雪崩能力和静电放电（ESD）保护性能，能够承受一定的过载和瞬态电压冲击，提高了系统的鲁棒性。

应用

KF19N20F广泛应用于各类电源管理系统中，包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、AC-DC适配器、负载开关、电机驱动电路以及电池管理系统（BMS）。其高耐压和大电流能力也使其适用于LED照明驱动、工业自动化设备和消费类电子产品中的功率控制部分。此外，该器件还可用于电源逆变器、UPS系统和储能设备中的功率开关电路。