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KF19N20F-U/PSF 发布时间 时间:2025/5/8 19:02:10 查看 阅读:5

KF19N20F-U/PSF是一款高性能的MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),适用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器等应用。该器件采用N沟道增强型结构,具有较低的导通电阻和较高的开关速度,能够有效减少功率损耗并提升系统效率。
  此型号中的‘KF’通常代表制造商或系列代号,‘19N20F’表示其额定电压为200V,连续漏极电流为19A(在特定条件下)。‘U/PSF’可能代表封装类型或特定的产品优化版本。

参数

额定电压:200V
  连续漏极电流:19A
  导通电阻(Rds(on)):0.15Ω(典型值,在特定条件下)
  栅极电荷:35nC(典型值)
  开关速度:高
  功耗:低
  封装形式:TO-220

特性

KF19N20F-U/PSF的主要特点是其出色的电气性能和可靠性。该器件具备以下关键特性:
  1. 低导通电阻:有助于降低传导损耗,从而提高整体效率。
  2. 高开关速度:减少了开关过程中的能量损失,适合高频应用。
  3. 良好的热性能:采用标准TO-220封装,散热效果优异,适合长时间运行。
  4. 稳定性强:能够在宽温度范围内保持稳定的电气性能,适用于工业和消费类电子设备。
  5. 可靠性高:经过严格的质量测试,确保在各种复杂环境下可靠运行。

应用

KF19N20F-U/PSF广泛应用于多种领域,包括但不限于:
  1. 开关电源(SMPS):用于AC-DC和DC-DC转换器中,提供高效能的电力传输。
  2. 电机驱动:适用于家用电器、工业设备中的电机控制。
  3. 电池保护电路:用于电动车、储能系统的过流保护和充放电管理。
  4. 逆变器:在太阳能逆变器和其他电力转换设备中起到核心作用。
  5. 汽车电子:满足汽车内部电源管理和电机控制需求。

替代型号

IRF540N
  STP19NF20
  FQP19N20

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